Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor laser device | |
其他题名 | Semiconductor laser device |
OSAWA KAZUHIRO | |
1988-12-16 | |
专利权人 | NEC CORP |
公开日期 | 1988-12-16 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To reduce the dispersion of monitor output currents among products by inserting an optical attenuator in proper attenuation between a semiconductor laser and a monitor photodetector. CONSTITUTION:A block 2 and a heat sink 3 are superposed and formed onto a substrate 1, a semiconductor laser 4 is loaded onto the heat sink 3, and each part is fixed with solder having a proper melting point. An optical attenuator 5 consisting of an optical absorption filter is mounted in the rear of the semiconductor laser 4, and a monitor photodetector 6 for a Ge photodiode is disposed in the rear of the optical attenuator 5. A monitor output current value at the time when proper currents are passed through the semiconductor laser 4 and a fixed optical output is acquired changes by the relative positional relationship of the semiconductor laser 4 and the monitor photodetector 6, and the monitor output current values disperse among products, but the appropriate attenuator 5 is inserted between the semiconductor laser 4 and the monitor photodetector 6 and the monitor output currents are adjusted so as to be brought to a preset value. Accordingly, the dispersion of the monitor output currents among products can be reduced. |
其他摘要 | 目的:通过在半导体激光器和监视器光电探测器之间插入适当衰减的光衰减器,减少产品间监视器输出电流的分散。组成:块2和散热器3叠加并形成在基板1上,半导体激光器4加载到散热器3上,每个部件用具有适当熔点的焊料固定。由光学吸收滤波器组成的光学衰减器5安装在半导体激光器4的后部,并且用于Ge光电二极管的监视器光电探测器6设置在光学衰减器5的后部。监视器输出电流值在时间时适当的电流通过半导体激光器4,并且通过半导体激光器4和监视光电探测器6的相对位置关系获得固定的光输出,并且监视器输出电流值在产品之间分散,但插入适当的衰减器5在半导体激光器4和监视器光电探测器6之间调节监视器输出电流,以使其达到预定值。因此,可以减少产品之间的监视器输出电流的分散。 |
申请日期 | 1987-06-11 |
专利号 | JP1988308993A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1987146591 |
公开(公告)号 | JP1988308993A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70786 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NEC CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | OSAWA KAZUHIRO. Semiconductor laser device. JP1988308993A[P]. 1988-12-16. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1988308993A.PDF(125KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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