Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| - | |
| 1987-12-11 | |
| 专利权人 | - |
| 公开日期 | 1987-12-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | High-power, single transverse mode laser operation is achieved in an extended-cavity structure by combining a semiconductor gain medium (10) having a large optical cavity together with a length of single mode optical fiber (21) between first (13) and second (24) reflector surfaces. The first reflector surface is formed on an end facet of the semiconductor gain medium; the second reflector surface is formed on an end of the optical fiber. Output power is efficiently coupled from the fiber end of the extended-cavity laser to a standard transmission medium (26). |
| 其他摘要 | 通过将具有大光学腔的半导体增益介质（10）与在第一（13）和第二（13）之间的单模光纤（21）的长度组合，在扩展腔结构中实现大功率，单横模激光器操作， （24）个反射器表面。第一反射器表面形成在半导体增益介质的端面上;所述第二反射器表面形成在所述光纤的端部上。输出功率从扩展腔激光器的光纤端有效地耦合到标准传输介质（26）。 |
| 申请日期 | 1987-05-19 |
| 专利号 | JP1987285488A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1987120337 |
| 公开（公告）号 | JP1987285488A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | G02B6/42 | H01S5/14 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70780 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | - |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | -. Semiconductor laser. JP1987285488A[P]. 1987-12-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1987285488A.PDF（152KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [-]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [-]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [-]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论