Multibeam semiconductor laser device

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	Multibeam semiconductor laser device
其他题名	Multibeam semiconductor laser device
	SHIMADA KATSUTO
	1988-06-13
专利权人	SEIKO EPSON CORP
公开日期	1988-06-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve the property of heat radiation by gluing a base stand equipped with the paired number of a conductive material interconnection for laser beam and a multibeam semiconductor laser element on a heat sink through soldering materials with a junction-down method. CONSTITUTION:After conductive materials for outgoing electrodes such as Au form a film on a single crystal sapphire (Al2O3) heat sink 101 with a spatter process, its film is treated by patterning with an ordinary photolighographic process and then, the outgoing electrodes 103 are formed into a based stand. Further, a multibeam semiconductor laser element 104 is glued through a soldering material with a junction-down method and a common electrode as well as the outgoing electrode 103 are treated by bonding with gold wires 105 and then, the interconnection of respective electrodes is formed.
其他摘要	目的：通过将具有成对数量的激光束导电材料互连的基座和多束半导体激光元件通过焊接材料通过结合方法粘合在散热器上来改善热辐射性能。组成：用于诸如Au的输出电极的导电材料在飞溅工艺的单晶蓝宝石（Al2O3）散热器101上形成薄膜之后，通过用普通的光学照相工艺图案化处理其薄膜，然后形成输出电极103进入一个基础的立场。此外，通过焊接材料胶合多束半导体激光元件104，通过结合方法和公共电极以及通过与金线105结合处理引出电极103，然后，形成各个电极的互连。
申请日期	1986-12-04
专利号	JP1988141385A
专利状态	失效
申请号	JP1986289143
公开（公告）号	JP1988141385A
IPC 分类号	H01L21/52 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70739
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEIKO EPSON CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	SHIMADA KATSUTO. Multibeam semiconductor laser device. JP1988141385A[P]. 1988-06-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988141385A.PDF（145KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文