Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor laser | |
其他题名 | Semiconductor laser |
OSAWA KAZUHIRO | |
1987-06-29 | |
专利权人 | NEC CORP |
公开日期 | 1987-06-29 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To wire bond in a semiconductor laser with high mass productivity and high reliability by continuously wire bonding from the electrodes of a photodetector to electrode leads. CONSTITUTION:To eliminate the influence of a reflected light on a photodetector 3, the photodetector 3 is placed obliquely. Thus, the ends of leads are formed in a conical shape so that the electrode surfaces of the photodetector 3 and part of the end of electrode leads 4 become in parallel to continuously wire bond 5 from the electrode of the photodetector 3 to the leads 4 while securing a stem as predetermined. The diameter of the electrode leads of a semiconductor laser is generally 0.45mm, and one side becomes 0.225mm when in a conical shape to be approximately flat when bonding wirings of 20-30mumphi in diameter. Thus, the wire bonding of high reliability can be performed. |
其他摘要 | 目的:通过从光电探测器的电极到电极引线的连续引线键合,在半导体激光器中进行引线键合,具有高质量生产率和高可靠性。组成:为了消除反射光对光电探测器3的影响,光电探测器3倾斜放置。因此,引线的端部形成为圆锥形,使得光电探测器3的电极表面和电极引线4的一部分的端部变得平行,从而连续地将光电探测器3的电极5连接到引线4,同时如预定的那样固定杆。半导体激光器的电极引线的直径通常为0.45mm,当圆锥形状时,当连接直径为20-30mumphi的配线时,一侧为0.225mm。因此,可以执行高可靠性的引线键合。 |
申请日期 | 1985-12-20 |
专利号 | JP1987145889A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1985288701 |
公开(公告)号 | JP1987145889A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70676 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NEC CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | OSAWA KAZUHIRO. Semiconductor laser. JP1987145889A[P]. 1987-06-29. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1987145889A.PDF(83KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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