Manufacture of semiconductor laser device

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	Manufacture of semiconductor laser device
其他题名	Manufacture of semiconductor laser device
	KOBAYASHI MASAYOSHI; MORI MITSUHIRO; TSUJI SHINJI; SAITOU KATSUTOSHI; CHIBA KATSUAKI; MORI TAKAO; SATOU NOBU; KATOU HIROSHI; KOBAYASHI MASAMICHI
	1983-06-28
专利权人	HITACHI SEISAKUSHO KK
公开日期	1983-06-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To reduce the stress imposed on the inside of a semiconductor laser element and thus obtain one available for a long time operation by a method wherein, after die bonding, the device is heated again to a temperature over the melting point of solder and applied to the treatment to cool it in a state that a compression stress is impressed on the side surface of a sub mount. CONSTITUTION:When there is a relation alphaL
其他摘要	用途：为了减少施加在半导体激光器元件内部的应力，从而通过一种方法获得可用于长时间操作的应力，其中在管芯键合之后，将器件再次加热到焊料熔点以上的温度并施加在压缩应力施加在子底座的侧表面上的状态下对其进行冷却处理。组成：当半导体激光元件1的热膨胀系数αL与子底座2的αS之间存在αL
申请日期	1981-12-23
专利号	JP1983108784A
专利状态	失效
申请号	JP1981206935
公开（公告）号	JP1983108784A
IPC 分类号	H01L21/52 \| H01S5/00 \| H01S5/02 \| H01S5/022 \| H01L21/58 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70464
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI SEISAKUSHO KK
推荐引用方式 GB/T 7714	KOBAYASHI MASAYOSHI,MORI MITSUHIRO,TSUJI SHINJI,et al. Manufacture of semiconductor laser device. JP1983108784A[P]. 1983-06-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1983108784A.PDF（99KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文