Laser device

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	Laser device
其他题名	Laser device
	NISHIJIMA YOSHINDO; SHINOHARA KOUJI; KAWABATA YOSHIO; FUKUDA HIROKAZU; YAMAMOTO KOOSAKU
	1982-11-30
专利权人	FUJITSU KK
公开日期	1982-11-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve the focussing intensity enabling to project the sharp and parallel beams by a method wherein the focussing lens is arranged near the semiconductor laser element enabling to adjust the location of the lens. CONSTITUTION:The focussing lens 7 provided with the permanent magnets MX, MY and MZ between the semiconductor element 3 arranged on the cooling substrate 2 and the transparent window 6 is arranged enabling to adjust the location and the electromagnets EMX, EMY and EMZ working on said permanent magnets to adjust the location of the lens 7 are arranged on the outside of vacuum airtight container 5. Then the light radiated from the semiconductor laser element 3 adjusting the location of the focussing lens 7 by means of controlling the exciting current of each electromagnet is projected outside through the transparent window 6 as the parallel beams. Especially the focussing intensity of the light may be improved by means of arranging the foccussing lens 7 very near the semiconductor laser element enabling to adjust the location of the lens 7.
其他摘要	用途：为了改善聚焦强度，能够通过一种方法投射锐利和平行光束，其中聚焦透镜设置在半导体激光元件附近，能够调节透镜的位置。组成：在设置在冷却基板2上的半导体元件3和透明窗口6之间设置有永磁体MX，MY和MZ的聚焦透镜7，用于调整工作位置和电磁铁EMX，EMY和EMZ。用于调节透镜7位置的永磁体设置在真空气密容器5的外侧。然后，从半导体激光元件3辐射的光通过控制每个电磁铁的激励电流来调节聚焦透镜7的位置。通过透明窗口6向外投射为平行光束。特别是通过将聚焦透镜7布置在非常靠近半导体激光器元件的位置，可以改善光的聚焦强度，从而能够调节透镜7的位置。
申请日期	1981-05-26
专利号	JP1982194591A
专利状态	失效
申请号	JP1981080592
公开（公告）号	JP1982194591A
IPC 分类号	H01S5/00 \| G02B6/42 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70445
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU KK
推荐引用方式 GB/T 7714	NISHIJIMA YOSHINDO,SHINOHARA KOUJI,KAWABATA YOSHIO,et al. Laser device. JP1982194591A[P]. 1982-11-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1982194591A.PDF（120KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文