半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	峰久次郎
	2010-12-24
专利权人	パナソニック株式会社
公开日期	2011-03-16
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】半導体レーザ装置の出力低下が半導体レーザ素子の劣化によるものか、プローブの劣化によるのものであるかを判定することができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】レーザ光を発生する半導体レーザ素子3と、半導体レーザ素子から発生されたレーザ光をモニタリングするレーザ光検出器4と、レーザ光を照射対象物へ導光するプローブ6と、プローブからのプローブ出力光を計測する光パワーメータ7と、半導体レーザ素子を駆動する電流の値、レーザ光検出器および光パワーメータの計測データを記憶する記憶部8と、記憶部に格納された半導体レーザ素子を駆動する電流の値、レーザ光およびプローブ出力光の強度と、新たに計測した半導体レーザ素子を駆動する電流の値、レーザ光およびプローブ出力光の強度とを用いてプローブの透過率が低下したか否かを判定する制御部5とを備えたことを特徴とする。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供能够确定半导体激光器件的输出下降是否源于半导体激光器件的劣化或探针的劣化的半导体激光器件。ŽSOLUTION：半导体激光装置包括用于产生激光束的半导体激光元件3;激光束检测器4，用于监测从半导体激光元件产生的激光束;探头6，用于将激光束引导到待照射的物体上;光功率计7，用于测量来自探头的探头输出光;存储器8，用于通过激光束检测器和光功率计存储测量数据;控制单元5通过使用驱动存储在存储器中的半导体激光元件的电流值，激光束的强度和探头输出光，确定探头的传输系数是否降低，新驱动所测量的半导体激光元件的电流，以及激光束和探头输出光的强度。Ž
申请日期	2005-07-14
专利号	JP4651471B2
专利状态	授权
申请号	JP2005205917
公开（公告）号	JP4651471B2
IPC 分类号	H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	特許業務法人池内·佐藤アンドパートナーズ
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70381
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	パナソニック株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	峰久次郎. 半導体レーザ装置. JP4651471B2[P]. 2010-12-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4651471B2.PDF（51KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文