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レーザ光照射装置
其他题名レーザ光照射装置
野口 慶介
2018-04-05
专利权人ブラザー工業株式会社
公开日期2018-04-05
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】加工対象物の材料の変更に伴って励起用半導体レーザに流す駆動電流を変更する場合に、加工品質が低下することなく効率良く加工を行うことができるレーザ光照射装置を提供すること。 【解決手段】記憶部にはレーザ光の発振効率が最大になるときの励起用半導体レーザの温度と駆動電流の電流値との対応関係が記憶されている。温度制御部は駆動電流値設定部にて設定された駆動電流の電流値に対応する励起用半導体レーザの温度を、記憶部に記憶された対応関係に基づいて決定する温度決定処理と、この温度決定処理により決定された温度となるように励起用半導体レーザの温度を制御する温度制御処理とを実行する。したがって、加工品質が低下しないし、励起用半導体レーザの温度を、駆動電流の電流値を変更するたびに測定する必要がない。 【選択図】図6
其他摘要要解决的问题:提供一种激光照射装置,该激光照射装置能够在改变供应给作为处理对象的材料的激励用半导体激光器的驱动电流时在不降低处理质量的情况下有效地执行处理。 在激励半导体激光器的温度与激光束的振荡效率最大化时的驱动电流的电流值之间的对应关系被存储在存储部中。温度控制部分执行温度确定处理,该温度确定处理基于存储在存储部分中的对应关系来确定与由驱动电流值设置部分设置的驱动电流的当前值对应的激励半导体激光器的温度,控制激励半导体激光器的温度,使得温度由确定过程确定和温度控制过程。因此,处理质量不会恶化,并且每当驱动电流的电流值改变时就不需要测量激励半导体激光器的温度。
申请日期2016-09-28
专利号JP2018056261A
专利状态申请中
申请号JP2016189279
公开(公告)号JP2018056261A
IPC 分类号H01S3/0941 | H01S3/00 | H01S5/068 | H01S5/024 | B23K26/00
专利代理人-
代理机构特許業務法人ネクスト
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70288
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ブラザー工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
野口 慶介. レーザ光照射装置. JP2018056261A[P]. 2018-04-05.
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