Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 滝沢 泰; 萩元 将人; 宮本 晋太郎 | |
| 2017-04-06 | |
| 专利权人 | ウシオ電機株式会社 |
| 公开日期 | 2017-04-06 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】放熱性の高い半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置は、ベースと、前記ベースの第1面から突き出したブロックと、前記ブロックの、前記第1面から立ち上がった側面に、直接あるいは間接に接合され、発光時の熱を該ブロックに逃がすレーザチップと、前記ブロックを覆って前記ベースの第1面上に固定されたキャップと、前記キャップに設けられ、前記レーザチップが発した光を通す窓と、前記ベースを貫通して前記キャップ内に一端が突き出し、前記レーザチップを挟んで前記ブロックとは逆側にいずれも位置する1本以上のリードピンと、前記ベースにおける、前記ブロックの裏側に相当する範囲に広がった、前記リードピンを含めてピンがない無ピン領域と、を備える。 【選択図】 図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种具有高散热性的半导体激光装置。 一种半导体激光器件包括基底，从所述基底的所述第一表面突出的块时，块的上侧上升从第一表面直接或间接地接合，热的发光时间盖子固定在基座的第一表面上以便盖住盖子，盖子设置在盖子上并允许激光芯片发出的光通过一个或多个引脚从基座突出穿过基座并位于块的相对两端，引线的一端从基座突出并将激光芯片夹在其间;并且，没有包括引脚的引脚的非引脚区域在与引脚长度相对应的范围内延伸。 发明背景 |
| 申请日期 | 2015-09-30 |
| 专利号 | JP2017069387A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | JP2015193338 |
| 公开（公告）号 | JP2017069387A |
| IPC 分类号 | H01S5/024 | G11B7/125 | H01L23/36 |
| 专利代理人 | 小西 恵 | 永岡 重幸 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70243 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ウシオ電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 滝沢 泰,萩元 将人,宮本 晋太郎. 半導体レーザ装置. JP2017069387A[P]. 2017-04-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2017069387A.PDF（107KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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