Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置 | |
其他题名 | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置 |
沼田 雅之 | |
2014-05-19 | |
专利权人 | 株式会社リコー |
公开日期 | 2014-05-19 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【課題】歩留まりを向上できる面発光レーザ素子を提供する。 【解決手段】 面発光レーザ素子100は、基板101と、該基板101上に積層された第1反射鏡103と、該第1反射鏡103上に積層された活性層105と、該活性層105上に積層された、複数の半導体層を含む第2反射鏡107と、該第2反射鏡107上に積層されたコンタクト層109とを含む積層体がエッチングされて形成されたメサと、該メサの頂面及び側面に沿って形成された、活性層に電流を供給するための金属配線110と、を備えている。そして、第2反射鏡107の複数の半導体層のうちのコンタクト層109の直下に位置する一の半導体層は、複数の半導体層のうちの一の半導体層以外の半導体層よりもエッチング選択比が小さい。 【選択図】図3 |
其他摘要 | 摘要:要解决的问题:提供一种可以提高产量的表面发射激光器件。解决方案:表面发射激光器元件100包括:基板101;第一反射镜103堆叠在基板101上;通过蚀刻包括堆叠在第一反射镜103上的有源层105的叠层形成的台面,堆叠在有源层105上并包括多个半导体层的第二反射镜107,以及堆叠在第二反射镜103上的接触层109反射镜107;沿着台面的顶面和侧面形成金属布线110,用于向有源层提供电流。第二反射镜107的多个半导体层中的一个半导体层位于接触层109的正下方,其蚀刻选择性小于除一个半导体层之外的每个半导体层的蚀刻选择性。 |
申请日期 | 2012-11-06 |
专利号 | JP2014093461A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP2012244025 |
公开(公告)号 | JP2014093461A |
IPC 分类号 | B41J2/44 | H01S5/183 | H01S5/42 |
专利代理人 | 立石 篤司 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70138 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 株式会社リコー |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 沼田 雅之. 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置. JP2014093461A[P]. 2014-05-19. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP2014093461A.PDF(160KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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