半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置

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	半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置
其他题名	半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置
	高山徹
	2009-06-25
专利权人	パナソニック株式会社
公开日期	2009-06-25
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【課題】高出力動作状態における発光効率の飽和が抑制され、安定した基本横モード発振を行うことが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】基板上に形成された、第1の導電型クラッド層と、活性層と、第2の導電型クラッド層とを備え、キャリアを注入するためのストライプ構造を有する。半導体レーザの共振器長をL、前端面の反射率をRf、後端面の反射率をRrとするとき、Rfe(Rf)/Loge(Rf×Rr)で表される位置とすると、ストライプの幅が共振器方向に対して距離L1から200μm以内の距離まで直線的に狭くなった後、後端面側のリッジ幅は一定である。【選択図】図3
其他摘要	要解决的问题：提供能够执行稳定的基本横向模式振荡的半导体激光器件，同时抑制高输出操作状态下的发光效率的饱和。解决方案：半导体激光器件包括形成在基板上的第一导电类型包层，有源层和第二导电类型包层，并且还具有用于注入载流子的条纹结构。将半导体激光器的谐振器长度表示为L，将前端表面的反射系数表示为Rf，将后端表面的反射系数表示为Rr，Rf e （Rf）/ Log e （Rf×Rr），后端面侧的脊宽度在条纹宽度变为后变为恒定从距离L1线性地窄到谐振器方向上≤200μm的距离。 Ž
申请日期	2009-02-10
专利号	JP2009141382A
专利状态	失效
申请号	JP2009028692
公开（公告）号	JP2009141382A
IPC 分类号	G11B7/125 \| H01S5/223
专利代理人	-
代理机构	特許業務法人池内·佐藤アンドパートナーズ
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70028
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	パナソニック株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	高山徹. 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置. JP2009141382A[P]. 2009-06-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2009141382A.PDF（94KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文