レーザ加工装置

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	レーザ加工装置
其他题名	レーザ加工装置
	櫻井努; 伊藤正弥; 原章
	2005-06-16
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	2005-06-16
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】均質かつライン状のレーザ光を得ることができるレーザ加工装置を提供することを目的とする。【解決手段】 200μm以上のスロー方向発光幅を有し、発光部におけるレーザ光Lのスロー方向の強度分布がその平坦値に対するピーク値の割合で3以上となるワンチップ半導体レーザ光源13と、融点と分解点または沸点との温度差が小さい物質から構成される鏡筒1とワンチップ半導体レーザ光源13との間で光軸センタ22上に配置され、入射側に対して出射側の曲率が大きい凸面を有する非球面レンズ14とを備える。この構成により、集光部Mにおけるスロー方向のレーザ光Lの強度分布のばらつきを低減し、均質なレーザ光Lを得ることができるため、集光部Mでのこげつきを解消することができる。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种能够提供均匀和线性激光束的激光束机器。解决方案：该机器配备有单片半导体激光光源13，其在投射方向上具有≥200μm的发射宽度并且具有在发射部分中的激光束L的投射方向上的强度分布为3或者峰值相对于平均值的比率更高。该机器另外配备有非球面透镜14，该非球面透镜14布置在透镜镜筒1和单芯片半导体激光光源13之间的光轴中心22上，并且具有在出射侧比在入射侧具有更大曲率的凸起。侧;顺便提及，镜筒1由熔点与分解或沸点之间的温差小的材料构成。该结构减小了光会聚部分M中激光束L在投射方向上的强度分布的变化，并且能够获得均匀的激光束L;因此，可以消除在光会聚部分M中的燃烧。
申请日期	2003-11-28
专利号	JP2005152988A
专利状态	失效
申请号	JP2003398285
公开（公告）号	JP2005152988A
IPC 分类号	H01S5/022 \| B23K26/06
专利代理人	板垣孝夫 \| 森本義弘
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69822
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	櫻井努,伊藤正弥,原章. レーザ加工装置. JP2005152988A[P]. 2005-06-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2005152988A.PDF（106KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文