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半導体レーザおよびその製造方法
其他题名半導体レーザおよびその製造方法
汐先 政貴; 平田 照二
2003-02-28
专利权人SONY CORP
公开日期2003-02-28
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】戻り光ノイズに強く、非点隔差を良好に補正、あるいは少なくでき、動作電流を低減でき、しかも高温出力時においても安定に発振する半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】自励発振型半導体レーザ100において、ストライプ部107の中央の導波路ストライプ幅は一定であり、ストライプ部107の中央部(共振器中央部)でリッジ間凹部幅(リッジ分離幅)W2を、狭く設定し、端面側付近のリッジ分離幅W2’を中央部のリッジ分離幅W2より広く設定し、ストライプ部107のリッジ底部、および両側部のサイドウォールリッジ部108a,108bの底部に、製造時にはチャネルストッパとして機能する光ガイド層109a~109cを選択的に形成する。
其他摘要要解决的问题:提供耐外部反馈噪声的半导体激光器,可以令人满意地校正或减少像散差异,可以降低工作电流,并在高温输出时稳定振荡,并提供制造方法激光。解决方案:在这种自脉冲半导体激光器中,条形部分107的中心波导条纹的宽度是固定的,并且在条形部分107的中心部分(中央部分)之间的脊部之间的凹陷部分的宽度(脊分离宽度)W2谐振器的一部分设置为窄的宽度。另外,激光器100的端面附近的脊分离宽度W2'设定为比中心部分的分离宽度W2宽的宽度,并且在制造时用作通道挡块的导光层109a-109c是在部分107的两侧分别选择性地形成条形部分107的脊部的底部部分和侧壁脊部分108a和108b。
申请日期2001-08-17
专利号JP2003060303A
专利状态失效
申请号JP2001247712
公开(公告)号JP2003060303A
IPC 分类号H01S5/22 | H01S5/065 | G11B7/125
专利代理人佐藤 隆久
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69662
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
汐先 政貴,平田 照二. 半導体レーザおよびその製造方法. JP2003060303A[P]. 2003-02-28.
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JP2003060303A.PDF(253KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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