Semiconductor device

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	Semiconductor device
其他题名	Semiconductor device
	NOJIRI HIDEAKI
	1990-08-27
专利权人	キヤノン株式会社
公开日期	1990-08-27
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To attain the simultaneous emission of required light, easy assembling and adjustment, and the cost reduction of a device by forming a separation layer between first and second activation layers, and separating the first activation layer by a groove formed between first and second light emission areas. CONSTITUTION:The first light emission area 14 where the recording and erasure of information are performed, the second light emission area 15 where the reproduction and reading are performed, and a third light emission area 16 which detects a distance between a medium and an optical head are comprised by using the first activation layer 7, and fourth-sixth light emission areas 17-19 which detect recording tracks are comprised by using the second activation layer 3 formed in parallel with the layer 7. The separation layer 5 to limit a current path is formed between the layers 7 and 3 to drive the areas 14 and 15 independently, and the layer 7 is separated by the groove 13 formed between the areas 14 and 15. By forming the device in such way, it is possible to emit a various kinds of light required by an optical head simultaneously, and to facilitate the loading of the optical head since each light emission area is fixed, and also, to reduce the number of optical components. As a result, the cost of the device can be reduced.
其他摘要	用途：通过在第一和第二激活层之间形成分离层，并通过在第一和第二光之间形成的凹槽分离第一激活层，实现所需光的同时发射，易于组装和调整，以及降低设备成本排放区域。组成：执行信息记录和删除的第一个发光区域14，执行再现和读取的第二个发光区域15，以及检测介质和光学头之间距离的第三个发光区域16通过使用第一激活层7构成，并且通过使用与层7平行形成的第二激活层3来构成检测记录轨道的第四至第六发光区域17-19。用于限制电流路径的分离层5在层7和3之间形成独立地驱动区域14和15，并且层7由在区域14和15之间形成的凹槽13分开。通过以这种方式形成装置，可以发射各种各样的区域。光学头同时需要的各种光，并且由于每个发光区域是固定的，并且为了减少光学元件的数量，因此便于光学头的加载。结果，可以降低设备的成本。
申请日期	1989-02-14
专利号	JP1990214035A
专利状态	失效
申请号	JP1989032615
公开（公告）号	JP1990214035A
IPC 分类号	G11B7/125 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69049
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	キヤノン株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	NOJIRI HIDEAKI. Semiconductor device. JP1990214035A[P]. 1990-08-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990214035A.PDF（269KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文