Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| YOSHITOSHI HIROSHI; KUME HIDEHIRO; MATSUMOTO YOSHIYUKI | |
| 1987-08-31 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1987-08-31 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To reduce the cost of a semiconductor laser by both emitting a beam and detecting an incident beam by an integral optical component to readily regulate an optical path. CONSTITUTION:A photodetector 13 is formed on a substrate 12, and a prism 21 having a translucent reflecting surface 21a and at least one of reflecting surface 21b, 21c is fixed to the photodetector 13. A beam 16 emitted from a semiconductor laser 11 fixed on the semiconductor substrate 12 and reflected by the surface 21a is used as an emitting beam. The beam 16 incident to the surface 21a, passed through the surface 21a and further reflected on the surface 21b, 21c is detected by the photodetector 13. |
| 其他摘要 | 目的：通过发射光束和通过整体光学元件检测入射光束来容易地调节光路，从而降低半导体激光器的成本。组成：光电探测器13形成在基板12上，并且具有半透明反射表面21a和至少一个反射表面21b，21c的棱镜21固定到光电探测器13上。从固定在其上的半导体激光器11发射的光束16。半导体衬底12被表面21a反射并用作发射光束。入射到表面21a，通过表面21a并进一步在表面21b，21c上反射的光束16由光电探测器13检测。 |
| 申请日期 | 1986-02-24 |
| 专利号 | JP1987196880A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1986038575 |
| 公开（公告）号 | JP1987196880A |
| IPC 分类号 | G11B7/135 | G11B7/125 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/68846 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YOSHITOSHI HIROSHI,KUME HIDEHIRO,MATSUMOTO YOSHIYUKI. Semiconductor laser device. JP1987196880A[P]. 1987-08-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1987196880A.PDF（161KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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