Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
レーザー光源装置 | |
其他题名 | レーザー光源装置 |
森田 大輔; 玉谷 基亮; 玄田 裕美 | |
2018-07-19 | |
专利权人 | 三菱電機株式会社 |
公开日期 | 2018-07-19 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【課題】従来に比べて、半導体素子に作用する応力の低減、及び給電路での電力損失の低減を図ったレーザー光源装置を提供する。 【解決手段】冷却用部材3と、第1支持部材2と、半導体レーザーアレイ1と、半導体レーザーアレイと電気的に接合し、かつ、半導体レーザーアレイの線膨張係数と同等の線膨張係数を有し銅-タングステンと同等もしくはそれ以下の電気抵抗率を有する材料の第2支持部材9と、陽極電極板4と、負極電極板5と、第2支持部材と負極電極板とを電気的に接続し、金と同等もしくはそれ以下の電気抵抗率を有する複数の導電部材8で構成された給電路と、を備えた。 【選択図】図1 |
其他摘要 | 要解决的问题:与传统的激光光源装置相比,提供一种能够减小作用在半导体元件上的应力并减少馈线中的功率损耗的激光光源装置。和冷却部件3时,第一支撑构件2中,半导体激光器阵列如图1所示,半导体激光器阵列和电接合,并具有相同的线膨胀系数与半导体激光器阵列的线性膨胀系数由电阻率等于或低于铜 - 钨的材料制成的第二支撑构件9,阳极电极板4,负电极以及电连接第二支撑构件和负电极板并由多个导电构件8构成的馈送路径,所述导电构件8的电阻率等于或低于金的电阻率。 |
申请日期 | 2017-01-12 |
专利号 | JP2018113377A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | JP2017003588 |
公开(公告)号 | JP2018113377A |
IPC 分类号 | H01S5/022 | H01S5/40 |
专利代理人 | 山田 卓二 | 田中 光雄 | 中野 晴夫 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/68064 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三菱電機株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 森田 大輔,玉谷 基亮,玄田 裕美. レーザー光源装置. JP2018113377A[P]. 2018-07-19. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP2018113377A.PDF(95KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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