Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 萩元 将人; 反町 進; 土屋 朋信 | |
| 2018-10-18 | |
| 专利权人 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 |
| 公开日期 | 2018-10-18 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】単結晶SiC基板を活用した半導体レーザ装置において、良好な放熱性を確保する。 【解決手段】半導体レーザ装置100は、第一面11と第二面12とを有する導電性の単結晶のSiC基板10と、第一面11上に配置された半導体レーザチップ(LDチップ20)と、を備える。また、半導体レーザ装置100は、SiC基板10の第一面11側に設けられ、半導体レーザチップ20が配置された第一導電層13と、第一導電層13とSiC基板10の第二面12側に接合されるべき導電性部材(第二導電層14、ヒートシンク部30)との間を絶縁する絶縁膜15aと、を備えることができる。 【選択図】 図2 |
| 其他摘要 | 公开的是利用单晶SiC基板，以确保良好的散热性的半导体激光装置。 的半导体激光装置100包括具有第一表面11和第二表面12，设置在第一表面11上的半导体激光元件的导电单晶的SiC衬底10（LD芯片20）并且，配备了。此外，半导体激光装置100设置在SiC衬底10中，半导体激光器的第二表面12与第一导电层的第一面11侧13，其芯片20设置，第一导电层13和SiC衬底10它可以设置有一个绝缘膜15A，其绝缘的导电性部件被接合到侧（第二导电层14，所述散热片部30）。 发明背景 |
| 申请日期 | 2017-08-29 |
| 专利号 | JP2018164068A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | JP2017164095 |
| 公开（公告）号 | JP2018164068A |
| IPC 分类号 | H01S5/022 | H01L23/34 |
| 专利代理人 | 小西 恵 | 永岡 重幸 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/68004 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 萩元 将人,反町 進,土屋 朋信. 半導体レーザ装置. JP2018164068A[P]. 2018-10-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2018164068A.PDF（84KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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