光集積形半導体レーザ

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	光集積形半導体レーザ
其他题名	光集積形半導体レーザ
	脇田紘一; 吉本直人; 佐藤憲史; 杉浦英雄
	1997-11-11
专利权人	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期	1997-11-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】光通信及び光計測における光源として高速·低電圧駆動·低チャープ特性を持つ変調器を集積した集積形半導体レーザを提供する。【解決手段】光集積形半導体レーザは、半導体レーザ12と、その半導体レーザ12の出射光を位相変化を利用して強度変調する前記半導体レーザと同一の基板上に形成された光強度変調器14a,14bと、これら2素子を同一の光共振器内に構成し、前記半導体レーザ12を直流駆動し、前記強度変調器14a,14bを大振幅動作させて変調光を発生する素子において、前記半導体レーザ12の出射光の偏光方向を光の電界ベクトルの方向が層に直交となるTM偏光とするものである。
其他摘要	要解决的问题：通过将半导体激光器的投影光偏振为TM偏振，通过低电压操作以低的损耗产生高输出和低啁啾的调制光，其中光的场矢量的方向与层成直角。解决方案：将拉伸应力引入半导体激光器有源层，使得半导体激光器的偏振表面具有其矢量方向垂直于波导层（TM偏振）的场矢量。半导体马赫 - 曾德尔调制器14a，14b设置在同一基板20上，激光投射光分支到两个波导11，光波导层的折射率通过施加到其上的电压而改变，并且光强度调制器14a，14b由在调制器14a，14b中，采用有利于快速和低电压驱动的多量子阱结构，并且使用对施加电压的大折射率。由于光的相变根据偏振方向而改变，因此选择TM偏振，其中光的场矢量的方向与层成直角。
主权项	-
申请日期	1996-04-26
专利号	JP1997293927A
专利状态	失效
申请号	JP1996106497
公开（公告）号	JP1997293927A
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S5/00 \| G02F1/025 \| H01S3/18
专利代理人	光石俊郎 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67854
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	脇田紘一,吉本直人,佐藤憲史,等. 光集積形半導体レーザ. JP1997293927A[P]. 1997-11-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1997293927A.PDF（61KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文