Gain waveguide type semiconductor laser

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	Gain waveguide type semiconductor laser
其他题名	Gain waveguide type semiconductor laser
	TERAISHI KATSUHIRO
	1989-11-21
专利权人	SEIKO EPSON CORP
公开日期	1989-11-21
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To make the astigmatism small by a method wherein an electrooptic effect of a laser crystal is utlized and an electric field of a depletion part of a metal or a semiconductor Schottky barrier is used. CONSTITUTION:A laser resonator is constituted of reflecting surfaces 37, 38; a Schottky electrode 33 is formed on the side of a beam radiation end face 37; when a reverse bias voltage is applied, a depletion layer is formed toward a depth direction from a part directly under the electrode 33. During this process, a part under the electrode 33 of an optical waveguide 3b is included in the depletion layer; a distribution of a refractive index is caused and this distribution of the refractive index and a distribution of a refractive index in the optical waveguide part 36 corresponding to a p-electrode 32 are offset each other. By this setup, it is possible to make the astigmatism small.
其他摘要	目的：通过一种方法使散光变小，其中使用激光晶体的电光效应并且使用金属或半导体肖特基势垒的耗尽部分的电场。组成：激光谐振器由反射表面37,38组成;肖特基电极33形成在光束辐射端面37的一侧;当施加反向偏压时，从电极33正下方的部分朝向深度方向形成耗尽层。在该过程中，光学波导3b的电极33下方的部分包括在耗尽层中;产生折射率的分布，并且光电波导部分36中对应于p电极32的折射率分布和折射率分布彼此偏移。通过这种设置，可以使像散变小。
主权项	-
申请日期	1988-05-17
专利号	JP1989289290A
专利状态	失效
申请号	JP1988119910
公开（公告）号	JP1989289290A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67812
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEIKO EPSON CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	TERAISHI KATSUHIRO. Gain waveguide type semiconductor laser. JP1989289290A[P]. 1989-11-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1989289290A.PDF（127KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文