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窒化ガリウム系半導体発光素子および発光装置
其他题名窒化ガリウム系半導体発光素子および発光装置
河 本 聡; 新 田 康 一
1999-01-22
专利权人株式会社東芝
公开日期1999-01-22
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 光の取り出し効率が高く、比較的簡易な構成で、コストが低く、信頼性の高い窒化ガリウム系半導体発光素子および発光装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板と、窒化ガリウム系半導体からなる発光層と、第1の層と、多重光反射層とを種々の形態に配置し、基板を透過させて光を取り出すようにすることにより、光の取り出し効率が極めて高く、駆動電圧も低減することができる。さらに、このような発光素子を種々の形態に実装することにより、高性能の発光装置を提供することができる。
其他摘要本发明的目的是提供一种氮化镓基半导体发光元件和发光器件,其具有高光提取效率,相对简单的结构,低成本和高可靠性。 解决方案:通过布置基板,由氮化镓基半导体制成的发光层,第一层和多种形式的多光反射层,并将光透过基板以提取光,光提取效率非常高,并且还可以降低驱动电压。此外,通过以各种形式安装这种发光元件,可以提供高性能的发光装置。
主权项-
申请日期1997-06-25
专利号JP1999017223A
专利状态失效
申请号JP1997169045
公开(公告)号JP1999017223A
IPC 分类号H01S5/323 | H01L33/56 | H01S5/343 | H01L33/54 | H01L33/16 | H01L33/06 | H01L33/62 | H01L33/50 | H01L33/10 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18
专利代理人佐藤 一雄 (外3名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67788
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社東芝
推荐引用方式
GB/T 7714
河 本 聡,新 田 康 一. 窒化ガリウム系半導体発光素子および発光装置. JP1999017223A[P]. 1999-01-22.
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