多層材料及びその製造方法

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	多層材料及びその製造方法
其他题名	多層材料及びその製造方法
	フランソワーズ·コルマ·レグエ; バーナード·ステイール·マイヤーソン
	1993-05-25
专利权人	インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレイション
公开日期	1993-05-25
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】特に700〜900℃の範囲の温度でのデバイス製造プロセスにおいて、デバイス形成層またはエピタキシャル成長の基板層として用いられる最上層の表面に貫通するミスフィット転位の数を低減する。【構成】単結晶基板12の上に、格子定数が厚さ1000Å毎に約2%以下変化するグレーディッド組成の複数のエピタキシャル層16、20、22を形成して多層構造を形成する。これらのエピタキシャル層16、20、22では、ミスフィット転位が形成されてひずみが除去され、このミスフィット転位がそれぞれの層の端に移動する。【効果】低欠陥密度を有する完全に緩和した不整合構造が得られ、それによって最上層の表面に貫通するミスフィット転位の数が低減される。
其他摘要	目的：减少通过最上层表面的误配合变换次数，用作器件形成层或器件制造工艺中外延生长的衬底层，温度特别是在700℃和700℃范围内。 900摄氏度组成：在单晶衬底12上形成多个具有渐变成分的外延层16,20和22，其中对于每个厚度为1,000＆angst，晶格常数在约2％或更小时变化，从而形成多层结构。形成误配合变换，在外延层16,20和22上消除失真，并且失配变换移动到每个层边缘，从而获得具有低缺陷密度的完全松弛的不匹配结构并减少失配的数量通过最上层的表面的变换。
主权项	-
申请日期	1992-05-12
专利号	JP1993129201A
专利状态	失效
申请号	JP1992118816
公开（公告）号	JP1993129201A
IPC 分类号	H01L21/20 \| H01L31/028 \| G02B6/13 \| H01L21/02 \| H01L29/02 \| H01L29/15 \| H01L31/036 \| H01S5/00 \| H01L31/18 \| H01S5/32 \| H01S5/327 \| H01L31/0264
专利代理人	頓宮孝一 (外4名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67740
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレイション
推荐引用方式 GB/T 7714	フランソワーズ·コルマ·レグエ,バーナード·ステイール·マイヤーソン. 多層材料及びその製造方法. JP1993129201A[P]. 1993-05-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993129201A.PDF（102KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文