Laser light emitting element

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	Laser light emitting element
其他题名	Laser light emitting element
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	1980-08-25
专利权人	FUTABA CORP
公开日期	1980-08-25
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain red-color laser light, by the method wherein a very small quantity of Li is added to single crystalline ZnO, thereby an impurity level of a narrow energy band is formed in ZnO and is actively utilized. CONSTITUTION:High-purity Zn and metal Li, 0.001-10wt% with respect to Zn, preferably, 0.1-0.5wt%, are enclosed in a crucible. This is heated and the material is vaporized. Single crystalline sapphire 4 is made a substrate and this is supported by holder 3. The current in filament 5 is set at about 300mA, the acceleration voltage at about 1kV, and the substrate temperature at about 300 deg.C. After introducing O2 gas, the ambient pressure of crucible 1 is set at about 8X10 torr. Then, epitaxial film 13 of Zn added with Li is formed. By this, an impurity level of an extremely narrow energy band is formed in Zn by means of Li. This level is made a basic condition. By utilizing the transition between this and the condition of stable level formed by the oxygen absence center in ZnO, red-color laser light is obtained, and the half-value width of the light emission peak at normal-temperature operation is narrow.
其他摘要	目的：为了获得红色激光，通过这样的方法，其中向单晶ZnO中加入非常少量的Li，从而在ZnO中形成窄能带的杂质能级并积极地利用。组成：将高纯度的Zn和金属Li（相对于Zn为0.001-10wt％，优选0.1-0.5wt％）封入坩埚中。将其加热并使材料蒸发。单晶蓝宝石4制成基板，并由支架3支撑。灯丝5中的电流设定为约300mA，加速电压设定为约1kV，基板温度设定为约300℃。在引入O 2气体之后，将坩埚1的环境压力设定为约8×10 -4托。然后，形成添加有Li的Zn的外延膜13。由此，借助于Li在Zn中形成极窄能带的杂质能级。这个级别是基本条件。通过利用其与由ZnO中的氧不存在中心形成的稳定水平的条件之间的转变，获得红色激光，并且在常温操作下发光峰的半值宽度窄。
主权项	-
申请日期	1979-02-16
专利号	JP1980110089A
专利状态	失效
申请号	JP1979015986
公开（公告）号	JP1980110089A
IPC 分类号	H01S3/16 \| C30B25/02 \| H01S3/06 \| H01S5/00 \| H01S5/30 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67567
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUTABA CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	-. Laser light emitting element. JP1980110089A[P]. 1980-08-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1980110089A.PDF（690KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文