Formation of electrode

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	Formation of electrode
其他题名	Formation of electrode
	SASAKI TATSUYA; INAI MOTOHIKO
	1987-12-08
专利权人	NEC CORP
公开日期	1987-12-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To form a platinum stripe electrode to enable continuous oscillation at a high temperature, and to enhance the characteristic of an element by a method wherein after a part of a dierectric film is removed in a stripe type to expose the surface of a semiconductor, platinum is evaporated on the whole surface, alloying treatment is performed, and then a platinum layer on the dielectric film is removed. CONSTITUTION:A clad layer 6, an active layer 5, a clad layer 4 and a cap layer 3 are grown in order on a substrate 7, an SiO2 oxide film is laminated thereon, and photolithography is performed using a mask to form stripe type grooves. The wafer and ZnP2, ZnAs2, InP are put in a quartz ampoule to be sealed in a vacuum, Zn is diffused up to the middle of the p-type clad layer 4, and the SiO2 film is removed. An SiO2 film is adhered again, stripe type grooves of two pieces are formed performing positioning of a mask, and mesa etching is performed using a Br2-CH3OH solution. Then an SiO2 film 10 is adhered again, positioning of a mask is performed, and stripes are formed. Pt is evaporated thereon, and after alloying is performed, the platinum layer on the dielectric film is removed.
其他摘要	目的：形成铂条形电极，使其能够在高温下连续振荡，并通过一种方法增强元件的特性，其中在以条纹类型去除一部分的称重膜以暴露半导体表面之后，在整个表面上蒸发铂，进行合金化处理，然后除去介电膜上的铂层。组成：在基板7上依次生长包层6，有源层5，包层4和盖层3，在其上层叠SiO2氧化膜，并使用掩模进行光刻以形成条纹型槽。将晶片和ZnP2，ZnAs2，InP放入石英安瓿中以在真空中密封，Zn扩散到p型覆层4的中间，并除去SiO2膜。再次粘附SiO 2膜，形成两片的条形沟槽，进行掩模的定位，并使用Br 2 -CH 3 OH溶液进行台面蚀刻。然后再次粘附SiO 2膜10，进行掩模的定位，并形成条纹。在其上蒸发Pt，并且在进行合金化之后，去除介电膜上的铂层。
主权项	-
申请日期	1986-05-30
专利号	JP1987282480A
专利状态	失效
申请号	JP1986125470
公开（公告）号	JP1987282480A
IPC 分类号	H01L21/28 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67549
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	SASAKI TATSUYA,INAI MOTOHIKO. Formation of electrode. JP1987282480A[P]. 1987-12-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987282480A.PDF（374KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文