ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР НАКЛОННЫМ РЕЗОНАТОРОМ (ППЛНР), И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР НАКЛОННЫМ РЕЗОНАТОРОМ (ППЛНР), И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
其他题名	ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР НАКЛОННЫМ РЕЗОНАТОРОМ (ППЛНР), И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
	ЛЕДЕНЦОВ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ; ЩУКИН ВИТАЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ
	2005-04-10
专利权人	ЛЕДЕНЦОВ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ
公开日期	2005-04-10
授权国家	俄罗斯
专利类型	发明申请
摘要	Полупроводниковый лазер, содержащий:а) нижний отражатель,б) верхний отражатель; ив) резонатор, расположенный между нижним отражателем и верхним отражателем, содержащий активную область, расположенную в указанном резонаторе; при этом резонатор и активная область выполнены с возможностью того, чтобы световое излучение распространялось в резонаторе в направлении, наклоненном и относительно перпендикуляра к поперечной плоскости, и относительно самой поперечной плоскости.2. Полупроводниковый лазер по п. 1, который дополнительно содержит подложку под нижним отражателем.3. Полупроводниковый лазер по п. 2, в которома) активная область излучает свет под воздействием на нее инжекционного тока при приложении прямого смещения; иб) резонатор также содержит:i) первую ограничивающую область под активной областью;ii) вторую ограничивающую область над активной областью;iii) первую имеющую донорную примесь область растекания тока над подложкой и под первой ограничивающей областью;iv) первую имеющую акцепторную примесь область растекания тока над второй ограничивающей областью и под верхним отражателем;v) апертуру тока, расположенную между каждой соседней областью; иvi) устройство управления смещением между первой имеющей донорную примесь областью растекания тока и первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока, в результате чего ток может инжектироваться в активную область, для формирования светового излучения.3. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором активная область выбрана из группы, состоящей из:а) по меньшей мере одной квантовой ямы;b) по меньшей мере одного листа квантовых перемычек;c) по меньшей мере одного листа квантовых точек; иd) любой комбинации а)–c).5. Полупроводниковый лазер по п. 4, который также содержит механизм обратной связи.6. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором нижний отражатель и верхний отражатель являются многослойными.7. Полупроводниковый лазер по п. 6, в которома) резонатор также содержит по меньшей мере один слой с высоким показателем преломления, и по меньшей мере один слой с промежуточным показателем преломления;б) нижний отражатель содержит самый верхний слой с высоким показателем преломления;в) верхний отражатель содержит самый нижний слой с высоким показателем преломления.8. Полупроводниковый лазер по п. 7, в котором активная область расположена в слое, имеющем высокий показатель преломления.9. Полупроводниковый лазер по п. 7, в котором активная область расположена в слое с промежуточным показателем преломления.10. Полупроводниковый лазер по п. 6, в которома) резонатор также содержит по меньшей мере один слой с низким показателем преломления, и по меньшей мере один слой с промежуточным показателем преломления;b) нижний отражатель содержит самый верхний слой с высоким показателем преломления; иc) верхний отражатель содержит самый нижний слой с высоким показателем преломления.1 Полупроводниковый лазер по п. 10, в котором активная область расположена в слое, имеющем низкий показатель преломления.12. Полупроводниковый лазер по п. 10, в котором активная область расположена в слое, имеющем промежуточный показатель преломления.13. Полупроводниковый лазер по п. 10, в котором активная область расположена между слоем, имеющим низкий показатель преломления, и слоем с промежуточным показателем преломления.14. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором лазер излучает свет в вертикальном направлении, в результате чего лазер действует как лазер с поверхностным излучением.15. Полупроводниковый лазер по п. 14, который также содержит оптическую апертуру, позволяющую вывод генерируемого светового излучения из структуры.16. Полупроводниковый лазер по п. 15, в котором оптическая апертура выполнена путем частичного выборочного удаления нескольких слоев верхнего отражателя.17. Полупроводниковый лазер по п. 15, в котором оптическая апертура выполнена с помощью дополнительного слоя, расположенного сверху верхнего отражателя.18. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором лазер излучает свет в поперечном направлении, в результате чего лазер действует как лазер с торцевым излучением.19. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором обратная связь в вертикальном направлении обеспечивается многослойными нижним и верхним отражателями.20. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором верхний отражатель содержит одиночный слой и нижний отражатель содержит множество слоев, в результате чего отражатели обеспечивают обратную связь в вертикальном направлении.2 Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором верхний отражатель содержит множество слоев и нижний отражатель содержит одиночный слой, в результате чего отражатели обеспечивают обратную связь в вертикальном направлении.22. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором верхний отражатель и нижний отражатель, каждый из них, содержат одиночный слой, тем самым обеспечивая обратную связь в вертикальном направлении.23. Полупроводниковый лазер по п. 22, в котором наклонная оптическая мода наклонена под углом относительно нормали к слоям большим, чем угол полного внутреннего отражения и на границе между резонатором и верхним отражателем, и на границе между резонатором и нижним отражателем.24. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором резонатор также содержит, по меньшей мере, одно зеркало на каждой стороне резонатора, обеспечивающее обратную связь в поперечном направлении.25. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором верхний отражатель частично протравлен для обеспечения распределенной обратной связи в поперечном направлении.26. Полупроводниковый лазер по п. 1, который дополнительно содержит дифракционную решетку, выполненную над верхним отражателем, и тем, что дифракционная решетка обеспечивает распределенную обратную связь в поперечном направлении.27. Полупроводниковый лазер по п. 3, который также содержита) поглощающий элемент, расположенный сверху верхнего отражателя, в котором поглощающий элемент содержит поглощающую область, которая поглощает световое излучение, пропускаемое через верхний отражатель.28. Полупроводниковый лазер по п. 3, который также содержита) поглощающий элемент, расположенный между подложкой и нижним отражателем, причем поглощающий элемент содержит поглощающую область, которая поглощает световое излучение, пропускаемое через нижний отражатель.29. Полупроводниковый лазер по п. 3, который также содержит:а) элемент управления фазой, содержащий:i) область модулирования, расположенную над первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока; причем область модулирования использует электрооптический эффект для модулирования длины волны светового излучения;ii) вторую имеющую донорную примесь область растекания тока над областью модулирования;iii) апертуру тока, расположенную между каждой соседней областью элемента управления фазой; иiv) устройство управления смещением элемента управления фазой между второй имеющей донорную примесь областью растекания тока и первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока, в результате чего электрическое поле может быть создано для области модулирования для модулирования длины волны светового излучения.30. Полупроводниковый лазер по п. 29, в котором область модулирования модулирует длину волны светового излучения, когда на нее воздействует электрическое поле при приложении обратного смещения.3 Полупроводниковый лазер по п. 30, который также содержит оптическую апертуру, позволяющую генерируемому световому излучению выходить из структуры.32. Полупроводниковый лазер по п. 31, в котором оптическая апертура выполнена путем частичного выборочного удаления нескольких слоев верхнего отражателя.33. Полупроводниковый лазер по п. 31, в котором оптическая апертура выполнена с помощью дополнительного слоя, расположенного сверху верхнего отражателя.34. Полупроводниковый лазер по п. 30, который также содержит поглощающий элемент, имеющий поглощающую область, расположенную сверху верхнего отражателя, чтобы обеспечивать выход светового излучения в поперечном направлении.35. Полупроводниковый лазер по п. 29, в котором область модулирования модулирует длину волны светового излучения при воздействии на нее инжекционным током при приложении прямого смещения.36. Полупроводниковый лазер по п. 35, который также содержит оптическую апертуру, позволяющую вывод генерируемого светового излучения из структуры.37. Полупроводниковый лазер по п. 36, в котором оптическая апертура выполнена путем частичного выборочного удаления нескольких слоев верхнего отражателя.38. Полупроводниковый лазер по п. 36, в котором оптическая апертура выполнена с помощью дополнительного слоя, расположенного сверху верхнего отражателя.39. Полупроводниковый лазер по п. 36, который также содержит поглощающий элемент, содержащий поглощающую область, расположенную сверху верхнего отражателя, для обеспечения выхода светового излучения в поперечном направлении.40. Полупроводниковый лазер по п. 29, который также содержит:е) элемент модулирования мощности, включающий в себя:i) первую поглощающую область, расположенную над второй имеющей донорную примесь областью растекания тока; причем первая поглощающая область использует электрооптический эффект для модулирования поглощаемой мощности;ii) вторую имеющую акцепторную примесь область растекания тока над первой поглощающей областью;iii) апертуру тока, расположенную между каждой соседней областью элемента модулирования мощности; иiv) устройство управления смещением элемента модулирования мощности, расположенное между второй имеющей донорную примесь областью растекания тока и второй имеющей акцепторную примесь областью растекания тока, в результате чего может быть создано электрическое поле, которое обусловливает смещение спектрального положения пика поглощения первой области поглощения, тем самым модулируя поглощение на данной длине волны излучаемого света.4 Полупроводниковый лазер по п. 40, в котором первая поглощающая область подвергается воздействию электрического поля при приложении обратного смещения.42. Полупроводниковый лазер по п. 41, который также содержит оптическую апертуру, позволяющую вывод генерируемого светового излучения из структуры.43. Полупроводниковый лазер по п. 41, который также содержит поглощающий элемент, содержащий вторую поглощающую область, расположенную сверху верхнего отражателя, для обеспечения выхода светового излучения в поперечном направлении.44. Полупроводниковый лазер по п. 40, в котором первая поглощающая область подвергается воздействию инжекционного тока при приложении прямого смещения.45. Полупроводниковый лазер по п. 44, который также содержит оптическую апертуру, которая позволяет вывод генерируемого светового излучения из структуры.46. Полупроводниковый лазер по п. 44, который также содержит поглощающий элемент, содержащий вторую поглощающую область, расположенную сверху верхнего отражателя, для обеспечения вывода светового излучения в поперечном направлении.47. Полупроводниковый лазер по п. 3, который также содержит:d) элемент модулирования мощности, включающий в себя:i) первую поглощающую область, расположенную над первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока; при этом указанная поглощающая область использует электрооптический эффект для модулирования поглощаемой мощности;ii) вторую имеющую донорную примесь область растекания тока над поглощающей областью;iii) апертуры тока, расположенные между каждой соседней областью; иiv) устройство управления смещением элемента модулирования мощности, расположенное между второй имеющей донорную примесь областью растекания тока и первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока, в результате чего может создаваться электрическое поле, которое обусловливает смещение поглощающей областью спектрального положения пика поглощения, таким образом модулируя поглощение на данной длине волны светового излучения.48. Полупроводниковый лазер по п. 47, в котором первая поглощающая область модулирует поглощаемую мощность при воздействии на нее электрическим полем при приложении обратного смещения.49. Полупроводниковый лазер по п. 48, который также содержит оптическую апертуру, позволяющую вывод генерируемого светового излучения из структуры.50. Полупроводниковый лазер по п. 49, в котором оптическая апертура выполнена путем частичного выборочного удаления нескольких слоев верхнего отражателя.5 Полупроводниковый лазер по п. 50, в котором оптическая апертура выполнена с помощью дополнительного слоя, расположенного сверху верхнего отражателя.52. Полупроводниковый лазер по п. 48, который также содержит поглощающий элемент, содержащий вторую поглощающую область, расположенную сверху верхнего отражателя, для обеспечения вывода светового излучения в поперечном направлении.53. Полупроводниковый лазер по п. 47, в котором поглощающая область подвергается воздействию инжекционного тока при приложении прямого смещения.54. Полупроводниковый лазер по п. 53, который также содержит оптическую апертуру, позволяющую вывод генерируемого светового излучения из структуры.55. Полупроводниковый лазер по п. 54, в котором оптическая апертура выполнена за счет частичного выборочного удаления нескольких слоев верхнего отражателя.56. Полупроводниковый лазер по п. 54, в котором оптическая апертура выполнена с помощью дополнительного слоя, расположенного сверху верхнего отражателя.57. Полупроводниковый лазер по п. 53, который также содержит поглощающий элемент, включающий в себя вторую поглощающую область, расположенную сверху верхнего отражателя, для обеспечения вывода светового излучения в поперечном направлении.58. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором один отражатель является многослойным отражателем, и другой отражатель является однослойным отражателем.59. Полупроводниковый лазер по п. 58, в котором нижний отражатель является однослойным отражателем, и верхний отражатель является многослойным отражателем.60. Полупроводниковый лазер по п. 59, в котором наклонная оптическая мода наклонена относительно нормали к слоям под углом, большим, чем угол полного внутреннего отражения на границе между резонатором и нижним отражателем.6 Полупроводниковый лазер по п. 58, в котором нижний отражатель является многослойным отражателем, и верхний отражатель является однослойным отражателем.62. Полупроводниковый лазер по п. 61, в котором наклонная оптическая мода наклонена относительно нормали к слоям под углом, большим, чем угол полного внутреннего отражения на границе между резонатором и верхним отражателем.63. Полупроводниковый лазер по п. 3, в котором активная область расположена в локальном максимуме интенсивности резонансной наклонной оптической моды.64. Полупроводниковый лазер по п. 29, в котором область модулирования расположена в локальном максимуме интенсивности резонансной наклонной оптической моды.65. Полупроводниковый лазер по п. 29, в котором и активная область, и область модулирования расположены в локальных максимумах интенсивности резонансной наклонной оптической моды.66. Полупроводниковый лазер по п. 47, в котором поглощающая область расположена в локальном максимуме интенсивности резонансной наклонной оптической моды.67. Полупроводниковый лазер по п. 47, в котором и активная область, и поглощающая область расположены в локальных максимумах интенсивности резонансной наклонной оптической моды.68. Полупроводниковый лазер по п. 40, в котором активная область, область модулирования и поглощающая область расположены в локальных максимумах интенсивности резонансной наклонной оптической моды.69. Полупроводниковый лазер по п. 3, в котором резонатор также содержит:vii) область модулирования, расположенную над первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока; иviii) апертуру тока, расположенную между первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока и областью модулирования.70. Полупроводниковый лазер по п. 69, в котором область модулирования содержит слой модулирования, характеризуемый пиком поглощения в спектральной области вблизи спектральной линии генерируемого светового излучения.7 Полупроводниковый лазер по п. 70, в котором слой модулирования выполнен с возможностью того, что резонансное уменьшение его показателя преломления с увеличением температуры компенсирует среднее не-резонансное увеличение действительного показателя преломления резонатора, тем самым обеспечивая дополнительную стабилизацию ширины линии излучаемого света по отношению к изменениям температуры.72. Полупроводниковый лазер по п. 71, в котором слой модулирования расположен в локальном максимуме резонансной наклонной оптической моды.73. Полупроводниковый лазер по п. 71, в котором активная область, и слой модулирования расположены в локальных максимумах резонансной наклонной оптической моды.74. Фотоприемник, содержащий:а) нижний отражатель;б) верхний отражатель; ив) резонатор, расположенный между нижним отражателем и верхним отражателем, содержащий область поглощения светового излучения, расположенную в резонаторе; причем резонатор выполнен таким образом, что направление распространения светового излучения в резонансной оптической моде наклонено и относительно перпендикуляра к поперечной плоскости, и относительно самой поперечной плоскости.75. Фотоприемник по п. 74, который также содержит подложку под нижним отражателем.76. Фотоприемник по п. 75, отличающийся тем, чтоа) область поглощения светового излучения генерирует связанные электронно-дырочные пары при поглощении светового излучения; иb) резонатор также содержит:i) первую ограничивающую область под областью поглощения светового излучения;ii) вторую ограничивающую область над областью поглощения светового излучения;iii) первую имеющую донорную примесь область растекания тока над подложкой и под первой ограничивающей областью;iv) первую имеющую акцепторную примесь область растекания тока над второй ограничивающей областью и под верхним отражателем;v) апертуру тока, расположенную между каждой соседней областью;vi) устройство управления смещением между первой имеющей донорную примесь областью растекания тока и первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока, в результате чего электроны и дырки, создаваемые поглощением светового излучения в слое поглощения светового излучения, генерируют фототок во внешнем контуре.77. Фотоприемник по п. 76, в котором фотоприемник обнаруживает световое излучение, поступающее от вертикального направления.78. Фотоприемник по п. 76, в котором фотоприемник обнаруживает световое излучение, поступающее от поперечного направления.79. Усилитель, содержащий:а) нижний отражатель;б) верхний отражатель; ив) резонатор, расположенный между нижним отражателем и верхним отражателем, содержащий активную область, расположенную в резонаторе; при этом резонатор выполнен таким образом, что направление распространения светового излучения в резонансной оптической моде резонатора наклонено и относительно перпендикуляра к поперечной плоскости, и относительно самой поперечной плоскости.80. Усилитель по п. 79, который также содержит подложку под нижним отражателем.8 Усилитель по п. 80, в которома) активная область усиливает световое излучение под воздействием на нее инжекционного тока при приложении прямого смещения; иb) резонатор также содержит:i) первую ограничивающую область под активной областью;ii) вторую ограничивающую область над активной областью;iii) первую имеющую донорную примесь область над подложкой и под первой ограничивающей областью;iv) первую имеющую акцепторную примесь область над второй ограничивающей областью и под верхним отражателем; иv) устройство управления смещением между первой имеющей донорную примесь областью растекания тока и первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока, в результате чего ток можно инжектировать в слой генерирования светового излучения, для усиления светового излучения.82. Усилитель по п. 80, в котором подложка содержит донорную примесь, нижний отражатель содержит донорную примесь и верхний отражатель содержит акцепторную примесь.83. Усилитель по п. 82, который также содержит:г) контакт n-типа, расположенный под подложкой; ид) контакт р-типа, расположенный над верхним отражателем.84. Усилитель по п. 83, отличающийся тем, что контакт р-типа поворачивается в поперечной плоскости по отношению к поперечному направлению распространения наклонной оптической моды, в результате чего усилитель не функционирует как лазер.85. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором только часть лазерной структуры сформирована из наклонного резонатора.86. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором, по меньшей мере, одна боковая поверхность наклонного резонатора обеспечена покрытием, выбранным из группы, состоящей из однослойного покрытия и многослойного покрытия;при этом покрытие регулирует вывод светового излучения в поперечном направлении.87. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором, по меньшей мере, одно оптическое волокно присоединено в ближней зоне электромагнитного поля вблизи боковой поверхности резонатора, тем самым обеспечивая связь резонансной оптической моды резонатора с оптическим волокном.88. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором, по меньшей мере, одно оптическое волокно присоединено в ближней зоне электромагнитного поля вблизи верхней поверхности верхнего отражателя, тем самым обеспечивая связь резонансной оптической моды резонатора с оптическим волокном.89. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором, по меньшей мере, одно оптическое волокно присоединено в ближней зоне электромагнитного поля сверху верхней поверхности верхнего отражателя, тем самым обеспечивая связь резонансной оптической моды резонатора с оптическим волокном.90. Оптическое волокно, содержащее:а) сердцевину; иб) многослойное покрытие, выполненное с возможностью того, чтобы световое излучение смогло распространяться только в определенном интервале длин волн, тем самым обеспечивая систему со стабилизированной длиной волны.
其他摘要	一种半导体激光器，包括：a）下反射器，b）上反射器; iv）位于下反射器和上反射器之间的谐振器，包含位于指定谐振器中的有源区;同时，谐振器和有源区域被配置为允许光在谐振器中沿相对于横向平面的垂线和相对于横向平面倾斜的方向传播。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，还包括在下反射器下面的衬底。 3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其中：a）所述有源区在施加正向偏压时在注入电流的影响下发光; b）谐振器还包含：i）有源区下方的第一限制区; ii）有源区上方的第二限制区; iii）在衬底上和第一限制区下扩散的第一施主杂质电流区; iv）第一有施主电路的第一施主杂质区杂质是在第二限制区域上方和上反射器下方扩散的电流区域; v）位于每个相邻区域之间的电流孔径; iv）在具有施主杂质的第一电流扩展区域和具有受主杂质的第一电流扩展区域之间的偏置控制器件，由此可以将电流注入到有源区域中以形成光辐射。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述有源区选自：a）至少一个量子阱; b）至少一片量子跳线; c）至少一片量子点; d）a）至c）.5的任何组合。 5.根据权利要求4所述的半导体激光器，还包括反馈机构。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述下反射器和所述上反射器是多层的。 7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其中：a）所述谐振器还包括至少一个具有高折射率的层和至少一个具有中等折射率的层; b）下反射器包含具有高折射率的最上层; c）上反射器包含具有高折射率的最下层。 8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其中，所述有源区位于具有高折射率的层中。 8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其中，所述有源区位于具有中等折射率的层中。 7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其中：a）所述谐振器还包括至少一个具有低折射率的层和至少一个具有中间折射率的层; b）所述下反射器包含具有高折射率的最上层; c）上反射器包含具有高折射率的最低层。 1根据权利要求10所述的半导体激光器，其中，所述有源区位于具有低折射率的层中。半导体激光器1根据权利要求10所述的有源区，其中所述有源区位于具有中等折射率的层中。 1根据权利要求10所述的半导体激光器，其中，所述有源区位于具有低折射率的层和具有中间折射率的层之间。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述激光器在垂直方向上发光，由此所述激光器用作表面发射激光器。 15.根据权利要求14所述的半导体激光器，还包括光学孔径，允许从所述结构输出所产生的光辐射。 16.根据权利要求15所述的半导体激光器，其中所述光学孔径通过部分地选择性地去除所述上反射器的若干层而制成16.根据权利要求15所述的半导体激光器，其中所述光学孔径使用位于所述上反射器顶部的附加层制成。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述激光器在横向方向上发光因此，激光作为具有末端辐射的激光器起作用。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述垂直反馈由多层下反射器和上反射器提供。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述上反射器包括单层，并且所述下反射器包括多个层，结果所述反射器在垂直方向上提供反馈。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述上反射器包括多个层，并且所述下反射器包括单层，由此所述反射器在垂直方向上提供反馈。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述上反射器和所述下反射器中的每一个包含单层，从而在垂直方向上提供反馈。 23.根据权利要求22所述的半导体激光器，其中，所述倾斜光学模式相对于所述层的法线以大于全内反射角的角度倾斜。并且在谐振器和上反射器之间的边界处，以及在谐振器和下反射器之间的边界处。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述谐振器还包括在所述谐振器的每一侧上的至少一个反射镜，在所述横向方向上提供反馈。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述上反射器被部分蚀刻以提供分布式横向反馈。 2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，还包括在上反射器上方制成的衍射光栅，以及衍射光栅在横向上提供分布反馈的事实。 4.根据权利要求3所述的半导体激光器，还包括位于所述上反射器顶部的吸收元件，其中所述吸收元件包含吸收区域，所述吸收区域吸收透过所述上反射器的光辐射。 4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其中还含有）吸收元件位于基板和下反射器之间，吸收元件包含吸收区域，该吸收区域吸收透过下反射器的光辐射。 4.根据权利要求3所述的半导体激光器，还包括：a）相位控制元件，包括：i）位于所述第一电流扩散区域上方的具有受主杂质的调制区域;此外，调制区域使用电光效应来调制光辐射的波长; ii）在具有施主杂质的调制区域上扩展的第二电流区域; iii）位于相位控制元件的每个相邻区域之间的电流孔径; iv）用于控制相位控制元件在具有施主杂质的第二电流扩展区域和具有受主杂质的第一电流扩展区域之间的位移的装置，由此可以为调制区域产生用于调制长度的电场光辐射波.30。 30.根据权利要求29所述的半导体激光器，其中，当通过施加反向偏压使光辐射暴露于电场时，所述调制区域调制光辐射的波长。 3根据权利要求30所述的半导体激光器，还包括光学孔径，所述光学孔径允许所产生的光离开所述结构。 32.根据权利要求31所述的半导体激光器，其中所述光学孔径是通过部分地选择性地去除所述上部反射器的若32.根据权利要求31所述的半导体激光器，其中所述光学孔径使用位于所述上反射器顶部的附加层制成。 3如权利要求30所述的半导体激光器，还包括吸收元件，所述吸收元件具有位于所述上反射器顶部的吸收区域，以在所述横向方向上提供光输出。 30.根据权利要求29的半导体激光器，其中调制区域调制光波长当施加直接偏压时，通过注入电流暴露于辐射时的辐射。 36.根据权利要求35所述的半导体激光器，还包括光学孔径，允许从所述结构输出所产生的光。 37.如权利要求36所述的半导体激光器，其特征在于，通过部分选择性地去除上反射器的若干层来制造光学孔径。 37.根据权利要求36所述的半导体激光器，其中所述光学孔径使用位于所述上反射器顶部的附加层制成。 37.如权利要求36所述的半导体激光器，还包括吸收元件，所述吸收元件包括位于所述上反射器顶部的吸收区域，以在所述横向方向上提供横向光输出。 30.根据权利要求29所述的半导体激光器，还包括：e）功率调制元件，包括：i）位于所述第二电流扩展区上方的具有施主杂质的第一吸收区;和第一吸收该区域使用电光效应来调制吸收的功率; ii）在第一吸收区域上的第二受主 - 杂质电流扩展区域; iii）位于功率调制元件的每个相邻区域之间的电流孔径; iv）用于控制位于具有施主杂质的第二电流扩散区域和具有受主杂质的第二电流扩散区域之间的功率调制元件的位移的装置，其结果是可以产生电场，该电场引起第一吸收区域的吸收峰值的光谱位置的偏移，从而调制在给定波长的发射光下吸收。 4根据权利要求40的半导体激光器，其中第一吸收区在施加反向偏压时暴露于电场。 42.根据权利要求41所述的半导体激光器，还包括光学孔径，允许输出所产生的光辐射来自结构.43。 42.根据权利要求41所述的半导体激光器，还包括吸收元件，所述吸收元件包括位于所述上反射器顶部的第二吸收区域，以在所述横向方向上提供光输出。 4根据权利要求40的半导体激光器，其中第一吸收区在施加正向偏压时暴露于注入电流。 45.根据权利要求44所述的半导体激光器，还包括光学孔径，其允许从所述结构输出所产生的光辐射。 45.根据权利要求44所述的半导体激光器，还包括吸收元件，所述吸收元件包括位于所述上反射器顶部的第二吸收区域，以在所述横向方向上提供横向光输出。 4.根据权利要求3所述的半导体激光器，还包括：d）功率调制元件，包括：i）位于所述第一电流扩散区上方的具有受主杂质的第一吸收区;其中所述吸收区域使用电光效应来调制吸收的功率; ii）在具有施主杂质的吸收区域上扩散的第二电流区域; iii）位于每个相邻区域之间的电流孔径; iv）功率调制元件偏置控制器件，位于具有施主杂质的第二电流扩展区域和具有受主杂质的第一电流扩展区域之间，由此可以产生电场，该电场使吸收区域移动吸收峰值的光谱位置，从而调制吸收给定的光辐射波长。 48.如权利要求47所述的半导体激光器，其特征在于，当通过施加反向偏压使第一吸收区域暴露于电场时，调制所吸收的功率。 49.如权利要求48所述的半导体激光器，还包括光学孔径，允许产生的输出结构的光发射.50。 50.根据权利要求49的半导体激光器，其中光学孔径是通过部分选择性地去除上反射器的若干层而制成的。 5根据权利要求50的半导体激光器，其中光学孔径是使用位于上反射器顶部的附加层制成的。 49.如权利要求48所述的半导体激光器，还包括吸收元件，所述吸收元件包括位于所述上反射器顶部的第二吸收区域，以在横向方向上提供横向光输出。 48.根据权利要求47的半导体激光器，其中在施加正向偏压时，吸收区暴露于注入电流。 54.根据权利要求53的半导体激光器，它还包含一个光学孔径，允许从该结构输出产生的光。 55.根据权利要求54的半导体激光器，其中光学孔径是通过部分选择性地去除上层的几层而制成的反射器.56。 55.根据权利要求54的半导体激光器，其中光学孔径是使用位于上反射器顶部的附加层制成的。 54.如权利要求53所述的半导体激光器，还包括吸收元件，所述吸收元件包括位于所述上反射器顶部的第二吸收区域，以在横向方向上提供横向光输出。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，一个反射器是多层反射器，另一个反射器是单层反射器。 59.根据权利要求58的半导体激光器，其中下反射器是单层反射器，上反射器是多层反射器。 60.根据权利要求59的半导体激光器，其中倾斜光学模式相对于层的法线倾斜的角度大于谐振器和下反射器之间的边界处的全内反射角。 59.如权利要求58所述的半导体激光器，其中下反射器是多层反射器，上反射器是单层反射器。 62.根据权利要求61的半导体激光器，其中倾斜光学模式相对于层的法线以大于谐振器和上反射器之间的边界处的全内反射角的角度倾斜。 4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其中，所述有源区位于所述共振倾斜光学模式的局部强度最大值处。 30.根据权利要求29所述的半导体激光器，其中，所述调制区域位于所述共振倾斜光学模式的局部强度最大值处。 30.根据权利要求29的半导体激光器，其中有源区和调制区都位于谐振倾斜光模的局部强度最大值。 48.根据权利要求47的半导体激光器，其中吸收区位于共振倾斜光学模式的局部强度最大值。 48.根据权利要求47的半导体激光器，其中区域和吸收区域位于共振倾斜光学模式的局部强度最大值。 4根据权利要求40的半导体激光器，其中有源区，调制区和吸收区位于共振倾斜光学模的局部强度最大值。 4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其中，所述谐振器还包括：vii）位于所述第一电流扩展区域上方的具有受主杂质的调制区域。 viiii）位于具有受主杂质的第一电流扩散区域和调制区域之间的电流孔径。根据权利要求69的半导体激光器，其中调制区包括调制层，其特征在于在所产生的光辐射的光谱线附近的光谱区中的吸收峰。 7根据权利要求70的半导体激光器，其中调制层配置成其折射率随着增加而共振减小通过谐振器的实际折射率的平均非谐振增加来补偿温度，从而相对于温度变化提供发射光的线宽的额外稳定性。 7根据权利要求71的半导体激光器，其中调制层位于谐振倾斜光学模式的局部最大值。根据权利要求71的半导体激光器，其中有源区和调制层位于共振倾斜光学模式的局部最大值。一种光电探测器，包括：a）下反射器; b）上反射器; iv）位于下反射器和上反射器之间的谐振器，包括位于谐振器中的光吸收区域;此外，谐振器被设计成使得在共振光学模式中光辐射的传播方向相对于横向平面的垂线和相对于横向平面倾斜。照片检测器第74页，其中还包含下反射器下方的基板。 75.根据权利要求75的光电探测器，其特征在于：a）光吸收区在吸收光辐射时产生耦合的电子 - 空穴对; b）谐振器还包括：i）光吸收区域下方的第一限制区域; ii）光吸收区域上方的第二限制区域; iii）在基板上方和第一限制区域下方扩展的第一施主杂质区域; iv）第一限制区域具有受主第二限制区域上方和上部反射器下方的电流扩散区域的混合物; v）位于每个相邻区域之间的电流孔径; vi）第一施主之间的偏移控制装置通过电流扩散区域的杂质区域和具有受主杂质的第一电流扩散区域，其结果是由光吸收层中的光吸收产生的电子和空穴在外部电路中产生光电流。根据权利要求76的光电探测器，其中光电探测器探测来自垂直方向的光辐射。根据权利要求76的光电探测器，其中光电探测器探测来自横向的光辐射。一种放大器，包括：a）下反射器; b）上反射器; iv）位于下反射器和上反射器之间的谐振器，包含位于谐振器中的有源区;谐振器的设计使得在谐振器的谐振光学模式中光辐射的传播方向相对于横向平面的垂线和相对于横向平面两者都倾斜。 80.如权利要求79所述的放大器，其特征在于，还包括在下反射器下面的衬底根据权利要求80的放大器，其中：a）有源区在施加正向偏压时在注入电流的影响下放大光辐射; b）谐振器还包含：i）在有源区下方的第一边界区域; ii）在有源区上方的第二边界区; iii）在衬底上方和第一边界区下方的第一施主杂质区; iv）在第二边界区上方和上反射器下方的第一受主杂质区; v）在具有施主杂质的第一电流扩展区域和具有受主杂质的第一电流扩展区域之间的偏移控制装置，由此可以将电流注入光产生层以放大光辐射。 8如权利要求80所述的放大器，其中，所述衬底包含施主杂质，所述下反射器包含施主杂质，并且所述上反射器包含受主杂质。 83.根据权利要求82的放大器，还包括：d）位于衬底下面的n型触点; id）位于上反射器上方的p型触点。 83.如权利要求83所述的放大器，其特征在于，p型触点在横向平面内旋转关于倾斜光学模式的横向传播方向，其结果是放大器不起激光器的作用。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中仅所述激光器结构的一部分由倾斜腔形成。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述倾斜谐振器的至少一个侧表面设置有选自由单层涂层和多层涂层组成的组的涂层;其中所述涂层控制横向上的光输出。 2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，至少一根光纤连接在谐振器侧面附近的电磁场的近区，从而提供谐振器的谐振光模与光纤的耦合。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中至少一根光纤连接在所述上反射器的上表面附近的电磁场的近区中。从而确保谐振器的谐振光学模式与光纤的耦合。 2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中至少一根光纤连接在所述上反射器的上表面顶部的电磁场的近场中，从而提供所述谐振器的谐振光学模式与所述光纤的耦合。一种光纤，包含：a）芯; b）多层涂层，其配置成允许光仅在特定波长范围内传播，从而提供具有稳定波长的系统。
主权项	-
申请日期	2003-02-11
专利号	RU2004127235A
专利状态	失效
申请号	RU2004127235
公开（公告）号	RU2004127235A
IPC 分类号	G02F1/017 \| H01S1/00 \| H01S5/00 \| H01S5/10 \| H01S5/18 \| H01S5/183 \| H01S5/20 \| H01S5/50
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67489
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ЛЕДЕНЦОВ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ
推荐引用方式 GB/T 7714	ЛЕДЕНЦОВ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ,ЩУКИН ВИТАЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР НАКЛОННЫМ РЕЗОНАТОРОМ (ППЛНР), И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ. RU2004127235A[P]. 2005-04-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
RU2004127235A.PDF（672KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文