Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Quantum well laser | |
其他题名 | Quantum well laser |
SUGIMOTO MITSUNORI | |
1986-09-30 | |
专利权人 | NEC CORP |
公开日期 | 1986-09-30 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To obtain a quantum well laser having excellent characteristics, by including a periodic structure comprising at least two or more kinds of semiconductor layers in the inside of a quantum well, thereby improving the crystalline property of the quantum well. CONSTITUTION:A quantum well laser comprises an n-type clad layer 1, a first guide layer 2, a quantum well 5 comprising GaAs layers 3 and AlAs layers 4, a second guide layer 6 and a p-type clad layer 7. The quantum well layer 5 is formed by alternately laminating the GaAs layers 3 and the AlAs layers 4. Many hetero-interfaces are included in the structure of the quantum well layer. Therefore the flatness of the interface becomes extremely excellent owing to these hetero-interfaces. Thus the homogenity of the quantum well layer 5 is improved. By alternately laminating the GaAs layers 3 and the AlAs layers 4, the crystalline property is more improved than the mixed crystal of an AlGaAs, and light emitting efficiency is enhanced. |
其他摘要 | 目的:通过在量子阱内部包括包含至少两种或更多种半导体层的周期结构,从而获得具有优异特性的量子阱激光器,从而改善量子阱的结晶性质。组成:量子阱激光器包括n型覆层1,第一引导层2,包括GaAs层3和AlAs层4的量子阱5,第二引导层6和p型覆层7。量子阱通过交替层叠GaAs层3和AlAs层4形成阱层5.在量子阱层的结构中包括许多异质界面。因此,由于这些异质界面,界面的平坦度变得极其优异。因此,改善了量子阱层5的均匀性。通过交替层叠GaAs层3和AlAs层4,结晶性能比AlGaAs的混晶更加改善,并且发光效率提高。 |
主权项 | - |
申请日期 | 1985-03-27 |
专利号 | JP1986220492A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1985062434 |
公开(公告)号 | JP1986220492A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/343 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67476 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NEC CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | SUGIMOTO MITSUNORI. Quantum well laser. JP1986220492A[P]. 1986-09-30. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1986220492A.PDF(351KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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