Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Quantum well laser | |
| 其他题名 | Quantum well laser |
| SUGIMOTO MITSUNORI | |
| 1986-09-30 | |
| 专利权人 | NEC CORP |
| 公开日期 | 1986-09-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain a quantum well laser having excellent characteristics, by including a periodic structure comprising at least two or more kinds of semiconductor layers in the inside of a quantum well, thereby improving the crystalline property of the quantum well. CONSTITUTION:A quantum well laser comprises an n-type clad layer 1, a first guide layer 2, a quantum well 5 comprising GaAs layers 3 and AlAs layers 4, a second guide layer 6 and a p-type clad layer 7. The quantum well layer 5 is formed by alternately laminating the GaAs layers 3 and the AlAs layers 4. Many hetero-interfaces are included in the structure of the quantum well layer. Therefore the flatness of the interface becomes extremely excellent owing to these hetero-interfaces. Thus the homogenity of the quantum well layer 5 is improved. By alternately laminating the GaAs layers 3 and the AlAs layers 4, the crystalline property is more improved than the mixed crystal of an AlGaAs, and light emitting efficiency is enhanced. |
| 其他摘要 | 目的：通过在量子阱内部包括包含至少两种或更多种半导体层的周期结构，从而获得具有优异特性的量子阱激光器，从而改善量子阱的结晶性质。组成：量子阱激光器包括n型覆层1，第一引导层2，包括GaAs层3和AlAs层4的量子阱5，第二引导层6和p型覆层7。量子阱通过交替层叠GaAs层3和AlAs层4形成阱层5.在量子阱层的结构中包括许多异质界面。因此，由于这些异质界面，界面的平坦度变得极其优异。因此，改善了量子阱层5的均匀性。通过交替层叠GaAs层3和AlAs层4，结晶性能比AlGaAs的混晶更加改善，并且发光效率提高。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1985-03-27 |
| 专利号 | JP1986220492A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1985062434 |
| 公开（公告）号 | JP1986220492A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/343 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67476 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SUGIMOTO MITSUNORI. Quantum well laser. JP1986220492A[P]. 1986-09-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1986220492A.PDF（351KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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