Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ形光増幅素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ形光増幅素子 |
| 伊藤 敏夫; 三富 修; 吉本 直人; 曲 克明 | |
| 1999-04-23 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 1999-04-23 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 入力信号光の偏波状態が変動しても、ゲイン特性が変動しにくい半導体レーザ形光増幅素子を容易に形成できるようにする。 【解決手段】 クラッド層102上で、活性層103の導波方向両端に、活性層103端部に接続してテーパ導波路103aを備える。このテーパ導波路103aは、例えば、バンドギャップ波長3μmのInGaAsPから構成する。そして、このテーパ導波路103aは、活性層103との接合部より離れるにしたがって、膜厚が薄くなるように形成する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：为了容易地形成半导体激光器型光放大元件，其中即使输入信号光的偏振状态波动，增益特性也难以波动。解决方案：锥形波导通道103a设置在包层102上的有源层103的波导方向的两端，同时连接到有源层103的端部。锥形波导通道103a包括例如InGaAsP。带隙波长为3微米。锥形波导通道103a形成为随着远离接合部分到达有源层103而薄膜厚度。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1997-10-03 |
| 专利号 | JP1999112073A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997271152 |
| 公开（公告）号 | JP1999112073A |
| IPC 分类号 | H01S5/06 | H01S | C05G5/00 | C05G3/06 | H01S5/20 | E04B1/348 | C05F5/00 | H01S5/00 | E06B1/56 | H01S3/103 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 山川 政樹 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67453 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 敏夫,三富 修,吉本 直人,等. 半導体レーザ形光増幅素子. JP1999112073A[P]. 1999-04-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999112073A.PDF（175KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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