Visible radiation semiconductor laser

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	Visible radiation semiconductor laser
其他题名	Visible radiation semiconductor laser
	FUJII HIROAKI
	1992-02-27
专利权人	NEC CORP
公开日期	1992-02-27
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To reduce an element formation of an AlGaInP visible radiation semiconductor laser and to improve heat dissipation characteristics during high output operation by making a conductivity type of a substrate of a semiconductor laser P-type, where a side of a mesa and a part excepting the mesa are coated with a semiconductor layer of the same conductivity as the substrate. CONSTITUTION:A semiconductor laser is formed through three times of metal organic thermal decomposition vapor growth method and mesa processing process. That is, a P-type GaInP layer 150, a P-type AlGaInP clad layer 120, an undoped GaInP active layer 110, an N-type AlGaInP clad layer 130, an N-type GaInP ethcing stopper layer 160, an N-type A GaInP clad layer 140, an N-type GaInP layer 170, and an N-type GaAs cap layer 190 are formed by crystal growth in this order to form a double hetero structure wafer. Then, the N-type AlGaInP 140 is processed to a mesa shape to form a laser structure. In the second crystal growth, a current block layer 180 which consists of P-type GaAs is formed by crystal growth in a side of the mesa and a part excepting the mesa. An N-type GaAs cap layer 200 is formed all over in the third crystal growth and electrodes are performed on both surfaces of an element.
其他摘要	用途：通过制作半导体激光器P型基板的导电类型来减少AlGaInP可见光辐射半导体激光器的元件形成并改善高输出操作期间的散热特性，其中台面的一侧和部件除外台面涂有与衬底具有相同导电性的半导体层。组成：半导体激光通过三次金属有机热分解气相生长方法和台面处理工艺形成。即，P型GaInP层150，P型AlGaInP覆盖层120，未掺杂的GaInP有源层110，N型AlGaInP覆盖层130，N型GaInP阻挡层160，N型通过晶体生长依次形成GaInP包覆层140，N型GaInP层170和N型GaAs盖层190，以形成双异质结构晶片。然后，将N型AlGaInP 140加工成台面形状以形成激光器结构。在第二晶体生长中，通过在台面的一侧和除台面之外的部分的晶体生长形成由P型GaAs构成的电流阻挡层180。在第三晶体生长中全部形成N型GaAs盖层200，并且在元件的两个表面上执行电极。
主权项	-
申请日期	1990-06-25
专利号	JP1992062883A
专利状态	失效
申请号	JP1990165903
公开（公告）号	JP1992062883A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67436
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	FUJII HIROAKI. Visible radiation semiconductor laser. JP1992062883A[P]. 1992-02-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992062883A.PDF（341KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文