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Semiconductor nanocrystal composite
其他题名Semiconductor nanocrystal composite
SUNDAR, VIKRAM, C.; EISLER, HANS, J.; BAWENDI, MOUNGI, G.
2003-03-27
专利权人MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
公开日期2003-03-27
授权国家世界知识产权组织
专利类型发明申请
摘要A composite including a plurality of semiconductor nanocrystals distributed in a metal oxide matrix can be used as an optical amplifier, a waveguide or a laser.
其他摘要包括分布在金属氧化物基质中的多个半导体纳米晶体的复合物可用作光学放大器,波导或激光器。
主权项A composite comprising: a plurality of semiconductor nanocrystals incorporated in an inorganic matrix.
申请日期2002-09-17
专利号WO2003025539A2
专利状态未确认
申请号PCT/US2002/029305
公开(公告)号WO2003025539A2
IPC 分类号H01S5/34 | H01S | G02B6/132 | H01S5/00 | H01S3/06 | H01S3/16 | G02B6/13 | H01S5/04 | H01S5/10 | H01S3/063 | G02B6/122 | H01S5/30 | G01N
专利代理人FOX, HAROLD, H.
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67363
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
推荐引用方式
GB/T 7714
SUNDAR, VIKRAM, C.,EISLER, HANS, J.,BAWENDI, MOUNGI, G.. Semiconductor nanocrystal composite. WO2003025539A2[P]. 2003-03-27.
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