Optoelectronic integrated circuit device

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	Optoelectronic integrated circuit device
其他题名	Optoelectronic integrated circuit device
	KURODA KENICHI; OOTA ATSUSHI
	1987-07-21
专利权人	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
公开日期	1987-07-21
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To facilitate forming electrodes of a semiconductor laser part and a driving electronic device part on a same plane and facilitate photolithography by a method wherein a TJS type laser in which an anode and a cathode are provided in a same plane is employed as the semiconductor laser part. CONSTITUTION:After an undoped AlGaAs layer 15, a lower cladding layer 16, an active layer 17, an upper cladding layer 18 and a cap layer 19 are formed over the whole surface of a semi-insulating substrate 14, selective diffusion and driving of Zn are performed to form a TJS type semiconductor laser part 33. parts of the respective layers 15-19 are removed by etching and a part of the semi-insulating substrate 14 is exposed and, on the exposed surface, a high resistance AlGaAs layer 22 and an active layer 23 are selectively laminated in such a manner that the surface of the active layer 23 is in the same level as the surface of the cap layer 19 of the laser part 33 to form an FET part 34. After that, the P-type side electrode 24 and the N-type side electrode 25 of the semiconductor laser part 33 and the drain electrode 26, the gate electrode 27 and the source electrode 28 of the FET part 34 are formed.
其他摘要	目的：为了便于在同一平面上形成半导体激光器部件和驱动电子器件部件的电极，并通过其中阳极和阴极设置在同一平面中的TJS型激光器作为半导体的方法来促进光刻。激光部分。组成：在未掺杂的AlGaAs层15之后，在半绝缘基板14的整个表面上形成下包层16，有源层17，上包层18和盖层19，选择性地扩散和驱动Zn然后，通过蚀刻去除各层15-19的一部分，露出半绝缘基板14的一部分，在露出的表面上露出高电阻的AlGaAs层22和以这样的方式选择性地层叠有源层23，使得有源层23的表面与激光器部分33的盖层19的表面处于相同的水平，以形成FET部分34。之后，P-形成半导体激光器部分33的类型侧电极24和N型侧电极25以及FET部分34的漏电极26，栅电极27和源电极28。
主权项	-
申请日期	1986-01-16
专利号	JP1987165387A
专利状态	失效
申请号	JP1986006869
公开（公告）号	JP1987165387A
IPC 分类号	H01L27/15 \| H01L27/095 \| H01L29/80 \| H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67301
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	KURODA KENICHI,OOTA ATSUSHI. Optoelectronic integrated circuit device. JP1987165387A[P]. 1987-07-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987165387A.PDF（374KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文