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半導体光素子特性評価装置
其他题名半導体光素子特性評価装置
曲 克明; 須崎 泰正; 小川 育生; 伊藤 敏夫; 石原 昇
2002-02-20
专利权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期2002-02-20
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 半導体光増幅器の評価測定の効率向上を図る。 【解決手段】 一端に光ファイバ45a〜45dが接続された平面型光導波路44a〜44dの他端を、評価対象である半導体光増幅器1の導波路6、7と接続して光結合回路41a、41bを構成し、半導体光増幅器1に光を通して光パワーメータ30により測定することによって半導体光増幅器1の評価を行う。
其他摘要要解决的问题:提高半导体光放大器的评估和测量效率。解决方案:通过将具有连接到其一端侧的光纤45a至454d的平面光波导44a至44d的另一端侧连接至半导体光放大器1的波导6和7,构成光耦合电路41a和41b。通过半导体放大器1评估光并通过光功率计30测量光,以评估半导体光放大器1。
主权项-
申请日期2000-08-08
专利号JP2002055022A
专利状态失效
申请号JP2000239554
公开(公告)号JP2002055022A
IPC 分类号G02B6/42 | G01M11/00 | G02B6/122 | H01S5/00
专利代理人光石 俊郎 (外2名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67226
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
曲 克明,須崎 泰正,小川 育生,等. 半導体光素子特性評価装置. JP2002055022A[P]. 2002-02-20.
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JP2002055022A.PDF(156KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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