外部変調器付き集積化光源

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	外部変調器付き集積化光源
其他题名	外部変調器付き集積化光源
	脇田紘一; 佐藤憲史
	1995-04-21
专利权人	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期	1995-04-21
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】高速大容量光通信及び光計測における光源として好適な外部変調器付き集積化光源において、変調器の吸収係数が光の伝搬方向に沿って一定であるために生じる問題を解消し、半導体レーザと変調器の結合部分での光の集中を避け、過度の電子·正孔対の生成を減らして、変調特性を有利となるようにすることを目的とする。【構成】内部に回折格子2を有する半導体レーザ1と、半導体レーザ1と同一の基板上に形成され半導体レーザ1の出射光を強度変調する変調器3とを有する集積化光源において、変調器3の吸収層6の吸収係数が、半導体レーザ側から出射側に向かって、光の導波方向に沿って次第に増加すること、更には、半導体レーザ1のコアは下から導波層7、エッチストップ層9、活性層4からなり、変調器のコアは少なくとも吸収層6を含むものである。
其他摘要	目的在高速大容量的光通信和集成光源作为在光学测量的光源的适当的外部调制器，消除因在调制器的吸收系数的问题是沿光传播的方向上恒定，半导体避免在激光和调制器的结合部分的光的集中，减少过多的电子 - 空穴对的产生，并且其目的被设定为有利的调制特性。 [配置]具有内部衍射光栅2的半导体激光器1中，对半导体激光器1形成在相同衬底作为调制器3中的集成光源和用于从强度的半导体激光器1调制所述发射的光调制器3吸收层6的吸光系数，朝向从半导体激光器侧的出射侧，逐渐沿光的是，此外，从半导体激光器1的底部芯波导层7，蚀刻停止的波导方向上逐渐增大层9和有源层4以及调制器的核心至少包括吸收层6。
主权项	-
申请日期	1993-10-05
专利号	JP1995106690A
专利状态	失效
申请号	JP1993248962
公开（公告）号	JP1995106690A
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S5/00 \| G02F1/025 \| H01S3/18
专利代理人	光石俊郎 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67216
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	脇田紘一,佐藤憲史. 外部変調器付き集積化光源. JP1995106690A[P]. 1995-04-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995106690A.PDF（223KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文