半導体レーザ素子及び製造方法

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	半導体レーザ素子及び製造方法
其他题名	半導体レーザ素子及び製造方法
	加藤亮; 山田篤志; 杉浦勝己; 石橋明彦
	2008-12-25
专利权人	パナソニック株式会社
公开日期	2008-12-25
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】半導体レーザ素子の共振面を形成する劈開精度を飛躍的に改善し、半導体レーザ素子の特性の歩留を向上させる。【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、基板の上に、発光部を含む活性層と、該活性層に形成されたストライプ状の導波路204と、活性層に電流を供給する電極と、電極と電気的に接続された第1の上部電極206と、導波路204における互いに対向する一対の共振面とを有する。第1の上部電極206は、共振面近傍領域207において、導波路204を軸として平面対称に形成され、且つ、導波路204に対して垂直な方向の幅が共振面に接近するにつれて縮小する。また、各共振面は、活性層及び基板のうちの少なくとも活性層に形成された劈開ガイド溝203に沿って劈開されている。【選択図】図8
其他摘要	要解决的问题：为了提高半导体激光器二极管的特性产量，大幅度提高形成半导体激光器元件谐振表面的解理精度。解决方案：本发明的半导体激光元件具有包括基板上的发光部分的有源层，形成在有源层上的条形波导204，用于向有源层提供电流的电极，电连接的第一上电极206在波导204中，第一上电极206以平面对称的方式形成，其中波导204作为谐振表面附近区域207中的轴，并且垂直方向上的宽度随着接近谐振表面，波导204减小到波导204。而且，各个谐振表面沿着在至少有源层和衬底之间的有源层上形成的解理引导槽203分裂。 Ž
主权项	-
申请日期	2007-06-18
专利号	JP2008311547A
专利状态	失效
申请号	JP2007159720
公开（公告）号	JP2008311547A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/02 \| H01L21/301 \| H01S5/00 \| H01L21/02
专利代理人	前田弘 \| 竹内宏 \| 嶋田高久 \| 竹内祐二 \| 今江克実 \| 藤田篤史 \| 二宮克也 \| 原田智雄 \| 井関勝守 \| 関啓 \| 杉浦靖也
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67110
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	パナソニック株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	加藤亮,山田篤志,杉浦勝己,等. 半導体レーザ素子及び製造方法. JP2008311547A[P]. 2008-12-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2008311547A.PDF（222KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文