半导体激光器件、半导体激光器件的制造方法以及光装置

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	半导体激光器件、半导体激光器件的制造方法以及光装置
其他题名	半导体激光器件、半导体激光器件的制造方法以及光装置
	别所靖之; 言水孝二; 清水源; 三桥大树; 太田洁
	2011-01-26
专利权人	三洋电机株式会社
公开日期	2011-01-26
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明的半导体激光器件具有：具有主面的支承部件；经第一接合层接合在主面上的第一半导体激光元件；经第二接合层与第一半导体激光元件相邻地接合在主面上的第二半导体激光元件。另外，第二接合层的熔点低于第一接合层的熔点，从主面到第二半导体激光元件的第四表面的第一高度大于从主面到第一半导体激光元件的第二表面的第二高度。
其他摘要	本发明的半导体激光器件具有：具有主面的支承部件；经第一接合层接合在主面上的第一半导体激光元件；经第二接合层与第一半导体激光元件相邻地接合在主面上的第二半导体激光元件。另外，第二接合层的熔点低于第一接合层的熔点，从主面到第二半导体激光元件的第四表面的第一高度大于从主面到第一半导体激光元件的第二表面的第二高度。
主权项	一种半导体激光器件，其特征在于：包括：具有主面的支承部件；经第一接合层接合在所述主面上的第一半导体激光元件；和经第二接合层接合在所述主面上的第二半导体激光元件，所述第一半导体激光元件具有第一表面和与所述第一表面相反侧的第二表面，所述第二半导体激光元件具有第三表面和与所述第三表面相反侧的第四表面，所述第二半导体激光元件与所述第一半导体激光元件相邻配置，所述第一半导体激光元件的所述第一表面侧被接合在所述主面上，所述第二半导体激光元件的所述第三表面侧被接合在所述主面上，所述第二接合层的熔点低于所述第一接合层的熔点，从所述主面到所述第四表面的第一高度大于从所述主面到所述第二表面的第二高度。
申请日期	2010-07-08
专利号	CN101958508A
专利状态	失效
申请号	CN201010280706.X
公开（公告）号	CN101958508A
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S5/40 \| G11B7/125
专利代理人	龙淳
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67080
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三洋电机株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	别所靖之,言水孝二,清水源,等. 半导体激光器件、半导体激光器件的制造方法以及光装置. CN101958508A[P]. 2011-01-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101958508A.PDF（1786KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文