Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法 | |
其他题名 | 一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法 |
张作望; 吴少凡 | |
2013-05-15 | |
专利权人 | 福建福晶科技股份有限公司 |
公开日期 | 2013-05-15 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明涉及一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法,原理是在Nd:YLF晶体中掺入GdF3,其化学式为:Ndx:Y(1-x-y)GdyLiF4。其中x=0~0.02,y=0.005~0.1,Gd与Y是性质相近的稀土元素,Gd离子半径比Y离子半径大4%,刚好介于Nd3+与Y3+之间,大离子半径Gd3+的掺入部分替代Y3+进入晶格,减小了晶体的内部张力,同时减小Y3+附近刃型位错应变能,从而可以抑制位错的迁移和重排,从而降低位错的密度,即抑制小角晶界的形成,可以有效改善Nd:YLF晶体的光学均匀性,获得高光学质量,物理性优良的掺钕氟化钇钆锂晶体,其激光二极管泵浦光-光转换效率超过60%,该激光晶体采用提拉法进行生长,工艺简单,能够实现大规模低成本的批量生产。 |
其他摘要 | 本发明涉及一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法,原理是在Nd:YLF晶体中掺入GdF3,其化学式为:Ndx:Y(1-x-y)GdyLiF4。其中x=0~0.02,y=0.005~0.1,Gd与Y是性质相近的稀土元素,Gd离子半径比Y离子半径大4%,刚好介于Nd3+与Y3+之间,大离子半径Gd3+的掺入部分替代Y3+进入晶格,减小了晶体的内部张力,同时减小Y3+附近刃型位错应变能,从而可以抑制位错的迁移和重排,从而降低位错的密度,即抑制小角晶界的形成,可以有效改善Nd:YLF晶体的光学均匀性,获得高光学质量,物理性优良的掺钕氟化钇钆锂晶体,其激光二极管泵浦光-光转换效率超过60%,该激光晶体采用提拉法进行生长,工艺简单,能够实现大规模低成本的批量生产。 |
主权项 | 一种掺钕氟化钇钆锂激晶体,属于四方晶系,以稀土钕为激活离子,氟化钇钆锂为基质物质,其特征在于:所述掺钕氟化钇钆锂晶体的化学式为Ndx:Y(1-x-y)GdyLiF4,其中x=0~0.02,y=0.005~0.1。 |
申请日期 | 2012-12-24 |
专利号 | CN103103610A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN201210565733.0 |
公开(公告)号 | CN103103610A |
IPC 分类号 | C30B29/12 | C30B15/00 | C30B33/02 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67039 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 福建福晶科技股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张作望,吴少凡. 一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法. CN103103610A[P]. 2013-05-15. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN103103610A.PDF(203KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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