一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法

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	一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法
其他题名	一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法
	张作望; 吴少凡
	2013-05-15
专利权人	福建福晶科技股份有限公司
公开日期	2013-05-15
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法，原理是在Nd:YLF晶体中掺入GdF3，其化学式为：Ndx:Y(1-x-y)GdyLiF4。其中x=0~0.02,y=0.005~0.1，Gd与Y是性质相近的稀土元素，Gd离子半径比Y离子半径大4%，刚好介于Nd3+与Y3+之间，大离子半径Gd3+的掺入部分替代Y3+进入晶格，减小了晶体的内部张力，同时减小Y3+附近刃型位错应变能，从而可以抑制位错的迁移和重排，从而降低位错的密度，即抑制小角晶界的形成，可以有效改善Nd:YLF晶体的光学均匀性，获得高光学质量，物理性优良的掺钕氟化钇钆锂晶体，其激光二极管泵浦光-光转换效率超过60%，该激光晶体采用提拉法进行生长，工艺简单，能够实现大规模低成本的批量生产。
其他摘要	本发明涉及一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法，原理是在Nd:YLF晶体中掺入GdF3，其化学式为：Ndx:Y(1-x-y)GdyLiF4。其中x=0~0.02,y=0.005~0.1，Gd与Y是性质相近的稀土元素，Gd离子半径比Y离子半径大4%，刚好介于Nd3+与Y3+之间，大离子半径Gd3+的掺入部分替代Y3+进入晶格，减小了晶体的内部张力，同时减小Y3+附近刃型位错应变能，从而可以抑制位错的迁移和重排，从而降低位错的密度，即抑制小角晶界的形成，可以有效改善Nd:YLF晶体的光学均匀性，获得高光学质量，物理性优良的掺钕氟化钇钆锂晶体，其激光二极管泵浦光-光转换效率超过60%，该激光晶体采用提拉法进行生长，工艺简单，能够实现大规模低成本的批量生产。
主权项	一种掺钕氟化钇钆锂激晶体，属于四方晶系，以稀土钕为激活离子，氟化钇钆锂为基质物质，其特征在于：所述掺钕氟化钇钆锂晶体的化学式为Ndx:Y(1-x-y)GdyLiF4，其中x=0~0.02,y=0.005~0.1。
申请日期	2012-12-24
专利号	CN103103610A
专利状态	失效
申请号	CN201210565733.0
公开（公告）号	CN103103610A
IPC 分类号	C30B29/12 \| C30B15/00 \| C30B33/02
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67039
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	福建福晶科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张作望,吴少凡. 一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法. CN103103610A[P]. 2013-05-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103103610A.PDF（203KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文