Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种GaN薄膜的外延生长方法及应用 | |
| 其他题名 | 一种GaN薄膜的外延生长方法及应用 |
| 李国强; 王海燕; 林志霆 | |
| 2017-01-11 | |
| 专利权人 | 华南理工大学 |
| 公开日期 | 2017-01-11 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了GaN薄膜的外延生长方法，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取；(2)使用PLD工艺在衬底上低温外延一层AlN模板：(3)使用MOCVD工艺在AlN模板上外延生长GaN薄膜。与现有技术相比，本发明具有生长时间短，制备成本低廉的优点，同时本发明制备的GaN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点，可广泛应用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳能电池等领域。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了GaN薄膜的外延生长方法，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取；(2)使用PLD工艺在衬底上低温外延一层AlN模板：(3)使用MOCVD工艺在AlN模板上外延生长GaN薄膜。与现有技术相比，本发明具有生长时间短，制备成本低廉的优点，同时本发明制备的GaN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点，可广泛应用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳能电池等领域。 |
| 主权项 | 一种GaN薄膜的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)衬底以及其晶向的选取； (2)使用PLD工艺在衬底上低温外延一层AlN模板： 衬底温度650-850℃，转速为5-10r/min，靶基距为5-8cm，激光波长为150-355nm，激光能量为150-280mJ/p，频率5-30Hz，氮的等离子体流量为4-5sccm，RF活化功率为350-500W； (3)使用MOCVD工艺在AlN模板上外延生长GaN薄膜。 |
| 申请日期 | 2016-08-29 |
| 专利号 | CN106328774A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201610752400.7 |
| 公开（公告）号 | CN106328774A |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01L33/02 | H01L33/32 | H01L21/02 |
| 专利代理人 | 罗观祥 |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66856 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国强,王海燕,林志霆. 一种GaN薄膜的外延生长方法及应用. CN106328774A[P]. 2017-01-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106328774A.PDF（99KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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