LD阵列多侧面泵浦激光器

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	LD阵列多侧面泵浦激光器
其他题名	LD阵列多侧面泵浦激光器
	刘世文
	2012-08-01
专利权人	刘世文
公开日期	2012-08-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种用于材料微细加工的改进型激光器，包括直流源、半导体激光二极管阵列(下称LDA)、YAG晶体和控制器，其中，所述直流源用于驱动所述LDA，所述控制器用于控制所述直流源的输出电流，工作时，通过所述控制器控制所述直流源的输出电流值以控制所述LDA的发光的强度，最终控制激光器的输出能量大小。所述控制器采用大功率的MOSFET管，所述LDA作为负载串联在MOSFET漏极上，通过控制栅源电压来控制输出电流。采用本发明所述激光器可以满足半导体线路微加工、失效分析、LCD液晶屏维修等多方面的应用，并且效率高、性能可靠、寿命长等优点。
其他摘要	本发明提供了一种用于材料微细加工的改进型激光器，包括直流源、半导体激光二极管阵列(下称LDA)、YAG晶体和控制器，其中，所述直流源用于驱动所述LDA，所述控制器用于控制所述直流源的输出电流，工作时，通过所述控制器控制所述直流源的输出电流值以控制所述LDA的发光的强度，最终控制激光器的输出能量大小。所述控制器采用大功率的MOSFET管，所述LDA作为负载串联在MOSFET漏极上，通过控制栅源电压来控制输出电流。采用本发明所述激光器可以满足半导体线路微加工、失效分析、LCD液晶屏维修等多方面的应用，并且效率高、性能可靠、寿命长等优点。
主权项	一种用于材料微细加工的激光器，包括直流源、半导体激光二极管阵列和Nd:YAG晶体，其中，直流源用于驱动所述半导体激光二极管阵列，其特征在于：还包括控制器，用于控制所述直流源的输出电流值，工作时，通过所述控制器控制所述直流源的输出电流值以控制所述半导体激光二极管阵列的发光的强度，最终控制激光器的输出能量大小。
申请日期	2012-03-31
专利号	CN102623879A
专利状态	失效
申请号	CN201210090477
公开（公告）号	CN102623879A
IPC 分类号	H01S3/0941 \| H01S3/131
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66764
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	刘世文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘世文. LD阵列多侧面泵浦激光器. CN102623879A[P]. 2012-08-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102623879A.PDF（361KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文