用于大功率半导体激光器列阵及叠阵的耐高温焊料

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	用于大功率半导体激光器列阵及叠阵的耐高温焊料
其他题名	用于大功率半导体激光器列阵及叠阵的耐高温焊料
	程东明
	2013-07-17
专利权人	郑州大学
公开日期	2013-07-17
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开一种用于大功率半导体激光器列阵及叠阵的耐高温焊料，是按照下述步骤进行的：a、在热沉或者管芯上制备2~5μm的第一银薄膜；b、在第一银薄膜上制作1~2μm的铟薄膜；c、在铟薄膜上制作0.1~0.2μm的第二银薄膜；d、将热沉和管芯在160~180℃烧结1~2min，烧结的时候充氮气或者氢气，之后在90~100℃退火1~2h。本发明采用分层结构，由于烧结时间短，只有最上层的银与铟扩散，铟下面的银还没有来得及和铟扩散，只是铟表面的银和铟有充分的扩散，这时银的含量为1%-3%，仍是以铟为主的合金，所以烧结温度低。当经过较长时间的低温退火后，铟下面的银全部与铟扩散，铟的含量为20%-33%，形成了以银为主的合金焊料，此时熔点为660-670℃，形成了高温焊料，满足了大功率半导体激光器列阵或叠阵的要求。
其他摘要	本发明公开一种用于大功率半导体激光器列阵及叠阵的耐高温焊料，是按照下述步骤进行的：a、在热沉或者管芯上制备2~5μm的第一银薄膜；b、在第一银薄膜上制作1~2μm的铟薄膜；c、在铟薄膜上制作0.1~0.2μm的第二银薄膜；d、将热沉和管芯在160~180℃烧结1~2min，烧结的时候充氮气或者氢气，之后在90~100℃退火1~2h。本发明采用分层结构，由于烧结时间短，只有最上层的银与铟扩散，铟下面的银还没有来得及和铟扩散，只是铟表面的银和铟有充分的扩散，这时银的含量为1%-3%，仍是以铟为主的合金，所以烧结温度低。当经过较长时间的低温退火后，铟下面的银全部与铟扩散，铟的含量为20%-33%，形成了以银为主的合金焊料，此时熔点为660-670℃，形成了高温焊料，满足了大功率半导体激光器列阵或叠阵的要求。
主权项	一种用于大功率半导体激光器列阵及叠阵的耐高温焊料，其特征在于是按照下述步骤进行的：a、在热沉或者管芯上制备2~5μm的第一银薄膜；b、在第一银薄膜上制作1~2μm的铟薄膜；c、在铟薄膜上制作0.1~0.2μm的第二银薄膜；d、将热沉和管芯在160~180℃烧结1~2min，烧结的时候充氮气或者氢气，之后在90~100℃退火1~2h。
申请日期	2012-01-12
专利号	CN103203565A
专利状态	授权
申请号	CN201210007519.3
公开（公告）号	CN103203565A
IPC 分类号	B23K35/30 \| B23K35/02 \| B23K1/00
专利代理人	霍彦伟
代理机构	郑州中原专利事务所有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66688
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	郑州大学
推荐引用方式 GB/T 7714	程东明. 用于大功率半导体激光器列阵及叠阵的耐高温焊料. CN103203565A[P]. 2013-07-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103203565A.PDF（532KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文