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包含量子阱混合(QWI)输出窗和波导区域的激光二极管与制造方法
其他题名包含量子阱混合(QWI)输出窗和波导区域的激光二极管与制造方法
张传阳; 陈建治; 马丁·H·胡; 洪·其·阮; 中-恩·扎赫
2015-04-22
专利权人康宁公司
公开日期2015-04-22
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要根据本公开案的一个实施方式,提供一种制造包含增益部分、QWI输出窗和QWI波导区域的半导体激光二极管的方法。QWI波导区域通过使用量子阱混合来制造,且所述QWI波导区域界定激光二极管的QWI输出窗中的QWI波导部分。对激光波长λL来说,QWI输出窗是透明的。QWI输出窗中的QWI波导部分的特征为大于增益部分的能量带隙的能量带隙以使得QWI波导部分和QWI输出窗中的带隙波长λQWI小于激光波长λL。QWI输出窗的特征为光致发光波长λPL。制造方法包含基于比较激光波长λL与QWI输出窗的光致发光波长λPL来判定激光二极管可靠性的λPL筛选协议。公开并请求附加实施方式。
其他摘要根据本公开案的一个实施方式,提供一种制造包含增益部分、QWI输出窗和QWI波导区域的半导体激光二极管的方法。QWI波导区域通过使用量子阱混合来制造,且所述QWI波导区域界定激光二极管的QWI输出窗中的QWI波导部分。对激光波长λL来说,QWI输出窗是透明的。QWI输出窗中的QWI波导部分的特征为大于增益部分的能量带隙的能量带隙以使得QWI波导部分和QWI输出窗中的带隙波长λQWI小于激光波长λL。QWI输出窗的特征为光致发光波长λPL。制造方法包含基于比较激光波长λL与QWI输出窗的光致发光波长λPL来判定激光二极管可靠性的λPL筛选协议。公开并请求附加实施方式。
主权项一种制造包含增益部分、QWI输出窗和QWI波导区域的半导体激光二极管的方法,其中: 所述半导体激光二极管的特征为激光波长λL; 所述QWI波导区域通过使用量子阱混合来制造,且所述QWI波导区域界定所述激光二极管的所述QWI输出窗中的QWI波导部分; 对所述激光波长λL来说,所述QWI输出窗是透明的; 所述QWI输出窗中的所述QWI波导部分的特征为大于所述增益部分的能量带隙的能量带隙以使得所述QWI波导部分和所述QWI输出窗中的所述带隙波长λQWI小于所述激光波长λL; 所述QWI输出窗的特征为光致发光波长λPL;及 所述制造方法包含基于比较所述激光波长λL与所述QWI输出窗的所述光致发光波长λPL来判定激光二极管可靠性的λPL筛选协议。
申请日期2011-04-12
专利号CN104540582A
专利状态失效
申请号CN201180018945.0
公开(公告)号CN104540582A
IPC 分类号B01J19/00 | B01L3/00 | F16L19/02
专利代理人徐金国
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66684
专题半导体激光器专利数据库
作者单位康宁公司
推荐引用方式
GB/T 7714
张传阳,陈建治,马丁·H·胡,等. 包含量子阱混合(QWI)输出窗和波导区域的激光二极管与制造方法. CN104540582A[P]. 2015-04-22.
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