陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法

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	陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法
其他题名	陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法
	舒世立; 佟存柱; 单肖楠; 汪丽杰; 宁永强; 王立军
	2015-04-08
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2015-04-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法，属于半导体激光器芯片封装技术领域。解决了现有技术中金属热沉引入陶瓷颗粒后，热膨胀系数降低的同时导热性能也显著下降的问题。该热沉由金属热沉和嵌入金属热沉内的局部增强区组成，其中，局部增强区由10-60vol.％的金属和40-90vol.％陶瓷颗粒组成，金属为Cu或Al，陶瓷颗粒为TiB2、TiC或者TiB2-TiC。该热沉局部增强区的热膨胀系数可通过控制陶瓷颗粒含量进行调节，使其与半导体激光器芯片的热膨胀系数匹配，降低芯片与热沉之间的内应力，提高半导体激光器的使用寿命；且不影响热沉的整体导热系数，制备工艺简便、成本低，易于推广应用。
其他摘要	本发明公开了一种陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法，属于半导体激光器芯片封装技术领域。解决了现有技术中金属热沉引入陶瓷颗粒后，热膨胀系数降低的同时导热性能也显著下降的问题。该热沉由金属热沉和嵌入金属热沉内的局部增强区组成，其中，局部增强区由10-60vol.％的金属和40-90vol.％陶瓷颗粒组成，金属为Cu或Al，陶瓷颗粒为TiB2、TiC或者TiB2-TiC。该热沉局部增强区的热膨胀系数可通过控制陶瓷颗粒含量进行调节，使其与半导体激光器芯片的热膨胀系数匹配，降低芯片与热沉之间的内应力，提高半导体激光器的使用寿命；且不影响热沉的整体导热系数，制备工艺简便、成本低，易于推广应用。
主权项	陶瓷颗粒局部增强金属热沉，其特征在于，包括金属热沉(1)和嵌入金属热沉(1)内的局部增强区(2)，局部增强区(2)的体积占陶瓷颗粒局部增强金属热沉总体积的10-30％；所述金属热沉(1)为Cu或Al；所述局部增强区(2)至少一个面裸露在金属热沉(1)的表面，局部增强区(2)由10-60vol.％的金属和40-90vol.％陶瓷颗粒组成，所述金属为Cu或Al，且与金属热沉(1)的金属相同，所述陶瓷颗粒为TiB2、TiC或者混合物，所述混合物为物质的量比为2:1的TiB2和TiC。
申请日期	2014-12-26
专利号	CN104493169A
专利状态	失效
申请号	CN201410832026.2
公开（公告）号	CN104493169A
IPC 分类号	B22F3/16 \| B22D19/02
专利代理人	王丹阳
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66577
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	舒世立,佟存柱,单肖楠,等. 陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法. CN104493169A[P]. 2015-04-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104493169A.PDF（1627KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文