频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器

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	频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器
其他题名	频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器
	何建军; 胡志朋
	2016-01-27
专利权人	浙江大学
公开日期	2016-01-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器。第一有源谐振腔与第二有源谐振腔在一端以V形相耦合形成多模耦合区，多模耦合区的端面具有腔面反射面，第一有源谐振腔的另一端和第一无源滤波器之间通过深刻蚀槽串联构成激光器的一臂；第二有源谐振腔的另一端和第二无源滤波器之间通过深刻蚀槽串联构成激光器的另一臂；第一有源谐振腔和第二有源谐振腔上设有浅刻蚀槽。本发明的激光器具有结构紧凑，制作工艺简单，成本较低，无需外部参考光源等优点。
其他摘要	本发明公开了一种频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器。第一有源谐振腔与第二有源谐振腔在一端以V形相耦合形成多模耦合区，多模耦合区的端面具有腔面反射面，第一有源谐振腔的另一端和第一无源滤波器之间通过深刻蚀槽串联构成激光器的一臂；第二有源谐振腔的另一端和第二无源滤波器之间通过深刻蚀槽串联构成激光器的另一臂；第一有源谐振腔和第二有源谐振腔上设有浅刻蚀槽。本发明的激光器具有结构紧凑，制作工艺简单，成本较低，无需外部参考光源等优点。
主权项	一种频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器，包括第一有源谐振腔(2)、第二有源谐振腔(3)、第一无源滤波器(4)和第二无源滤波器(5)；其特征在于：第一有源谐振腔(2)与第二有源谐振腔(3)一端之间以V形相耦合形成多模耦合区(1)，多模耦合区(1)的端面具有腔面反射面(7)，多模耦合区(1)为四分之一波长耦合区；第一有源谐振腔(2)的另一端和第一无源滤波器(4)之间通过用于部分反射的深刻蚀槽(6)串联构成激光器的一臂；第二有源谐振腔(3)的另一端和第二无源滤波器(5)之间通过用于部分反射的深刻蚀槽(6)串联构成激光器的另一臂；多模耦合区(1)所在的第一有源谐振腔(2)波导与第一有源谐振腔(2)其余波导之间设有用于电隔离的浅刻蚀槽(18)，多模耦合区(1)所在的第二有源谐振腔(3)波导与第二有源谐振腔(3)其余波导之间设有用于电隔离的浅刻蚀槽(18)。
申请日期	2015-10-28
专利号	CN105281199A
专利状态	授权
申请号	CN201510711347.1
公开（公告）号	CN105281199A
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/02
专利代理人	林超
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66450
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	浙江大学
推荐引用方式 GB/T 7714	何建军,胡志朋. 频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器. CN105281199A[P]. 2016-01-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105281199A.PDF（923KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文