用于外延剥离的多个堆栈沉积

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	用于外延剥离的多个堆栈沉积
其他题名	用于外延剥离的多个堆栈沉积
	何甘; 安德瑞斯・海吉杜斯
	2011-12-28
专利权人	奥塔装置公司
公开日期	2011-12-28
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明的实施例提供一种含有布置于衬底上的多个磊晶堆栈的薄膜堆栈，及一种用于形成此薄膜堆栈的方法。在一实施例中，该外延堆栈含有布置于该衬底上的第一牺牲层、布置于该第一牺牲层上的第一外延膜、布置于该第一外延膜上的第二牺牲层，及布置于该第二牺牲层上的第二外延膜。该薄膜堆栈可进一步含有布置于牺牲层上的额外的外延膜。通常，所述外延膜含有砷化镓合金，且所述牺牲层含有砷化铝合金。方法提供通过在外延剥离(ELO)过程期间蚀刻掉所述牺牲层而自该衬底移除所述外延膜。所述外延膜可用作光伏电池、激光二极管，或其它器件或材料。
其他摘要	本发明的实施例提供一种含有布置于衬底上的多个磊晶堆栈的薄膜堆栈，及一种用于形成此薄膜堆栈的方法。在一实施例中，该外延堆栈含有布置于该衬底上的第一牺牲层、布置于该第一牺牲层上的第一外延膜、布置于该第一外延膜上的第二牺牲层，及布置于该第二牺牲层上的第二外延膜。该薄膜堆栈可进一步含有布置于牺牲层上的额外的外延膜。通常，所述外延膜含有砷化镓合金，且所述牺牲层含有砷化铝合金。方法提供通过在外延剥离(ELO)过程期间蚀刻掉所述牺牲层而自该衬底移除所述外延膜。所述外延膜可用作光伏电池、激光二极管，或其它器件或材料。
主权项	一种布置于衬底表面上的薄膜堆栈，包含：第一牺牲层，其布置于衬底上；第一外延膜，其布置于所述第一牺牲层上；第二牺牲层，其布置于所述第一外延膜上；及第二外延膜，其布置于所述第二牺牲层上。
申请日期	2009-12-07
专利号	CN102301450A
专利状态	失效
申请号	CN200980155968.9
公开（公告）号	CN102301450A
IPC 分类号	H01L21/20 \| H01L21/306
专利代理人	周靖 \| 郑霞
代理机构	北京安信方达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66383
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	奥塔装置公司
推荐引用方式 GB/T 7714	何甘,安德瑞斯・海吉杜斯. 用于外延剥离的多个堆栈沉积. CN102301450A[P]. 2011-12-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102301450A.PDF（1392KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文