一种非对称反波导大光学腔半导体激光器结构

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种非对称反波导大光学腔半导体激光器结构
其他题名	一种非对称反波导大光学腔半导体激光器结构
	薄报学; 高欣; 乔忠良; 张晶; 李辉; 李特; 曲轶
	2015-02-04
专利权人	长春理工大学
公开日期	2015-02-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种非对称反波导大光学腔半导体激光器结构，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以在降低激光器波导的光学限制因子、增加有效波导宽度、减小波导损耗的同时，减少串联电阻及载流子泄漏，使激光器电光效率及输出功率受到限制。本发明之非对称反波导大光学腔半导体激光器的波导层采用具有非对称结构的反向线性渐变折射率结构，有效降低激光器波导的光学限制因子，增加有效波导宽度，减小波导的载流子吸收损耗及串联电阻，同时避免了量子阱载流子的泄漏。该技术方案可应用于各类大功率半导体激光器的制造。
其他摘要	一种非对称反波导大光学腔半导体激光器结构，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以在降低激光器波导的光学限制因子、增加有效波导宽度、减小波导损耗的同时，减少串联电阻及载流子泄漏，使激光器电光效率及输出功率受到限制。本发明之非对称反波导大光学腔半导体激光器的波导层采用具有非对称结构的反向线性渐变折射率结构，有效降低激光器波导的光学限制因子，增加有效波导宽度，减小波导的载流子吸收损耗及串联电阻，同时避免了量子阱载流子的泄漏。该技术方案可应用于各类大功率半导体激光器的制造。
主权项	一种非对称反波导大光学腔半导体激光器结构，包括衬底(1)、下限制层(2)、下波导层(3)、多量子阱有源层(4)、上波导层(5)、上限制层(6)及欧姆接触层(7)，其特征在于，下波导层(3)的材料组分为反向线性渐变，靠近多量子阱有源层(4)的下波导层(3)的材料折射率低，靠近下限制层(2)的下波导层(3)的材料折射率高；下波导层(3)为N型掺杂区，上波导层(5)为P型掺杂区，通过下波导层(3)的材料组分反向线性渐变有效增加N型掺杂区的波导宽度，抑制上波导层的载流子吸收损耗。
申请日期	2014-11-20
专利号	CN104332825A
专利状态	失效
申请号	CN201410674436
公开（公告）号	CN104332825A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66379
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	薄报学,高欣,乔忠良,等. 一种非对称反波导大光学腔半导体激光器结构. CN104332825A[P]. 2015-02-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104332825A.PDF（189KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文