用于对层序列进行结构化的方法和半导体激光器设备

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	用于对层序列进行结构化的方法和半导体激光器设备
其他题名	用于对层序列进行结构化的方法和半导体激光器设备
	克里斯蒂安·鲁姆博尔茨; 斯文·格哈德
	2017-08-18
专利权人	欧司朗光电半导体有限公司
公开日期	2017-08-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	提出一种用于对层序列进行结构化的方法以及一种半导体激光器设备。在该方法中，通过两个等离子刻蚀方法在层序列(10)中产生至少一个沟槽(4)。半导体激光器设备包括：层序列(10)，所述层序列借助半导体材料形成；和层序列(10)中的两个沟槽(4)，所述沟槽侧向地对脊型波导(30)限界，其中每个沟槽(4)在其背离脊型波导(30)的一侧上由层序列(10)的区域(A)限界。
其他摘要	提出一种用于对层序列进行结构化的方法以及一种半导体激光器设备。在该方法中，通过两个等离子刻蚀方法在层序列(10)中产生至少一个沟槽(4)。半导体激光器设备包括：层序列(10)，所述层序列借助半导体材料形成；和层序列(10)中的两个沟槽(4)，所述沟槽侧向地对脊型波导(30)限界，其中每个沟槽(4)在其背离脊型波导(30)的一侧上由层序列(10)的区域(A)限界。
主权项	一种用于对层序列(10)进行结构化的方法，所述方法具有如下步骤： -提供层序列(10)，所述层序列包括第一层(1)和第二层(2)，所述第一层和所述第二层在材料组分方面彼此不同， -将掩模(20)施加到所述第一层(1)的背离所述第二层(2)的覆盖面(1a)上， -在所述层序列(10)的未由所述掩模(20)覆盖的区域中部分地剥离所述第一层(1)，并且通过第一等离子刻蚀方法部分地露出所述第二层(2)， -通过第二等离子刻蚀方法部分地剥离露出的所述第二层(2)，其中 -通过所述第一等离子刻蚀方法，随着沿横向方向距所述掩模(20)的间距(D)变小，将所述第一层(1)更强地剥离， -在所述第二等离子刻蚀方法中，将所述第一层(1)与所述第二层(2)相比以更小的刻蚀速率剥离， -在所述层序列(10)中产生至少一个沟槽(4)，所述沟槽完全地延伸穿过所述第一层(1)并且至少部分地延伸穿过所述第二层(2)。
申请日期	2015-09-21
专利号	CN107078464A
专利状态	授权
申请号	CN201580057080.7
公开（公告）号	CN107078464A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01L21/3065
专利代理人	丁永凡 \| 张春水
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66371
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	克里斯蒂安·鲁姆博尔茨,斯文·格哈德. 用于对层序列进行结构化的方法和半导体激光器设备. CN107078464A[P]. 2017-08-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107078464A.PDF（827KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文