利得結合分布帰還型半導体レーザ

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	利得結合分布帰還型半導体レーザ
其他题名	利得結合分布帰還型半導体レーザ
	須藤剣; 青木雅博; 古森正明; 大家彰; 魚見和久
	2000-03-03
专利权人	HITACHI LTD
公开日期	2000-03-03
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】本発明は利得結合分布帰還型半導体レーザに関し、特に簡易な作製法で利得結合構造の作製を容易にすることを可能とする分布帰還型半導体レーザの構造及びその作製方法を提供することを目的とする。さらなる目的は本発明のレーザを搭載した低コストで高性能動作可能な光モジュールを提供することにある。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明者らは、同一の導電型を有し隣接する上側光ガイド層とクラッド層との境界に、境界の上下の層とは反対の導電型を有するキャリア阻止層を回折格子の周期で配置することによって、キャリアを周期的に変調して活性層に注入し、これに伴う活性層における光学利得の周期的な変調によって利得結合を誘起するという、簡易な手法で実現する利得結合分布帰還型半導体レーザの素子構造及びその作製方法を開示する。【効果】容易な手法で単一モード発振歩留まりの高い分布帰還型半導体レーザを実現できる。さらに、本素子を搭載した光モジュールの高出力動作化、高温動作を大きく改善できる。
其他摘要	要解决的问题：通过在上部光导之间的边界处放置具有与边界层的导电性相反的导电阻挡层的导体阻挡层来简单地制造可以实现增益耦合的分布式反馈半导体激光器的元件结构层和包层具有相同的导电性并且彼此相邻。解决方案：例如，在整个基板上形成具有200nm周期的衍射栅格，使得衍射栅格通过盖层107和载流子阻挡层106延伸到上部光导层105。然后，p连续形成类型的包层108和高度集中的p型接触层109，使得载流子阻挡层106和盖层107循环地埋在上光导层105和包层108中。现在之间的距离使载流子阻挡层106和压缩应变多量子阱有源层104短于载流子扩散长度，并且用衍射栅极的周期调制的载流子被注入到压缩应变多量子阱有源层104中。因此，波导的轴向调制光学增益并引起增益耦合。
主权项	-
申请日期	1998-08-21
专利号	JP2000068601A
专利状态	失效
申请号	JP1998235248
公开（公告）号	JP2000068601A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H04B10/02 \| H01S5/00 \| H04B10/28 \| H04B10/40 \| H04B10/00 \| H04B10/50 \| H04B10/60
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66174
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	須藤剣,青木雅博,古森正明,等. 利得結合分布帰還型半導体レーザ. JP2000068601A[P]. 2000-03-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000068601A.PDF（30KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文