Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ埋め込み構造 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ埋め込み構造 |
| 岩田 普 | |
| 1995-08-04 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 1995-08-04 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 タイプ2である半導体材料を用いた半導体レーザの埋め込み構造を提供する。 【構成】 電子が多数キャリアーであるn領域11に隣接して第1埋め込み層7および第2埋め込み層8を形成した。光ガイド層5、n型クラッド層6、第1埋め込み層7、第2埋め込み層8のバンドラインナップはタイプ2である。第1埋め込み層7は、n型クラッド層6と光ガイド層5に比べ、伝導帯端の位置が高いため電子を有効に閉じ込める。第2埋め込み層8の屈折率がn型クラッド層6よりも2%小さく、n領域11を平均した有効屈折率よりも小さいため光を閉じ込めることができる。 |
| 其他摘要 | 提供一种使用类型2的半导体材料的半导体激光器嵌入结构。 第一掩埋层（7）和第二掩埋层（8）邻近n区（11）形成，其中电子是多数载流子。光导层5，n型包层6，第一埋层7和第二埋层8的能带阵容是类型2。由于第一掩埋层7的导带边缘的位置高于n型覆盖层6和光导层5的位置，因此可以有效地限制电子。由于第二掩埋层8的折射率比n型覆盖层6的折射率小2％并且小于n区域11的平均有效折射率，所以可以限制光。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1993-12-28 |
| 专利号 | JP1995202312A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993334305 |
| 公开（公告）号 | JP1995202312A |
| IPC 分类号 | H01S5/347 | H01S5/327 | H01S5/223 | H01S5/22 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 京本 直樹 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66098 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩田 普. 半導体レーザ埋め込み構造. JP1995202312A[P]. 1995-08-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995202312A.PDF（24KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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