Etching method

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Etching method
其他题名	Etching method
	OOKUBO TOMOYUKI; SAWATO HIRONOBU
	1992-11-11
专利权人	SEKIYU SANGYO KASSEIKA CENTER
公开日期	1992-11-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To develop a method of etching a compound semiconductor primarily compounded of PbS which enables high accuracy selection etching to be carried out and a flat surface free of roughness or discoloration to be created after the etching. CONSTITUTION:This etching method includes a stage (a) which covers a specified region of a compound semiconductor primarily made of PbS with a metal layer, such as gold and a stage (b) which etches the surface portion not covered with the gold by means of an alkali etching solution which includes a complexing agent which forms hydrogen peroxide, Pb and complex (such as alkali metal salt of tartaric acid and sodium hydroxide) and alkali hydroxide. This method is suitable to mesa etching. There are formed cladding layers 3 and 5 made of PbCdSSe on a PbS substrate 1 with a PbS active layer sandwiched, which are provided with a contact layer 6 and an electrode 7 and useful to the preparation of mesa stripe type laser diode in double heterostructure.
其他摘要	目的：开发一种蚀刻主要由PbS复合的化合物半导体的方法，该方法能够进行高精度的选择蚀刻，并且在蚀刻之后产生没有粗糙或变色的平坦表面。组成：这种蚀刻方法包括一个阶段（a）覆盖主要由PbS制成的化合物半导体的特定区域，金属层，如金，和阶段（b），通过手段蚀刻未被金覆盖的表面部分碱性蚀刻溶液包括形成过氧化氢，Pb和络合物（如酒石酸和氢氧化钠的碱金属盐）和碱金属氢氧化物的络合剂。该方法适用于台面蚀刻。在PbS衬底1上形成由PbCdSSe制成的包层3和5，其中PbS有源层夹在中间，它们具有接触层6和电极7，并且可用于制备双异质结构的台面条型激光二极管。
主权项	-
申请日期	1991-04-19
专利号	JP1992320336A
专利状态	失效
申请号	JP1991113656
公开（公告）号	JP1992320336A
IPC 分类号	H01L21/308 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65915
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEKIYU SANGYO KASSEIKA CENTER
推荐引用方式 GB/T 7714	OOKUBO TOMOYUKI,SAWATO HIRONOBU. Etching method. JP1992320336A[P]. 1992-11-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992320336A.PDF（103KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文