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2次元半導体光結晶素子およびその製造方法
其他题名2次元半導体光結晶素子およびその製造方法
納富 雅也; 児玉 聡
2000-08-22
专利权人日本電信電話株式会社
公开日期2000-08-22
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 作製を容易にし、また材料が限定されなくする。 【解決手段】 GaAsからなりかつ周期的な垂直な穴17を有するすなわち2次元周期構造を有する半導体光結晶層13と表面にSiO2からなる低屈折率誘電体層14を有しかつGaAsからなる基板15とからなり、半導体光結晶層13と低屈折率誘電体層14とが平面接触されている。
其他摘要要解决的问题为了便于制造和使材料不受限制。 解决方案:半导体光子晶体层13,由GaAs制成并具有周期性垂直孔17,即具有二维周期结构,和低折射率介电层14并且,由GaAs制成的基板15,半导体光子晶体层13和低折射率介电层14平面接触。
主权项-
申请日期1999-02-10
专利号JP2000232258A
专利状态失效
申请号JP1999032311
公开(公告)号JP2000232258A
IPC 分类号H01S5/343 | G02B6/12 | H01S5/00
专利代理人中村 純之助 (外2名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65910
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
納富 雅也,児玉 聡. 2次元半導体光結晶素子およびその製造方法. JP2000232258A[P]. 2000-08-22.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
JP2000232258A.PDF(234KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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