オプトエレクトロニック半導体装置

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	オプトエレクトロニック半導体装置
其他题名	オプトエレクトロニック半導体装置
	アドリアーンファルステル; カロルスヨハネスファンデルプル; イェルンヤンランベルタスホリックス
	1995-03-03
专利权人	PHILIPS ELECTRON NV
公开日期	1995-03-03
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】使用中の隣接するレーザ間に漏話が存在しないかまたは既知の装置の場合よりも少なくとも充分に漏話を低減し得るようにしたオプトエレクトロニック半導体装置を提供せんとするものである。【構成】第1半導体ダイオードレーザ11及び第2半導体ダイオードレーザ12のアレイと、半導体本体10とを具え、この半導体本体には1導電型の第1クラッディング層2、第1及び第2レーザ11及び12の第1及び第2能動領域31及び32が夫々位置する能動層3及び前記第1クラッディング層とは反対導電型の第2クラッディング層4をこの順序で具える半導体層状構体を配置させる1導電型の半導体基板1を設け、これら第1および第2クラッディング層には半導体本体表面13から基板1内に延在する条溝20によって互に分離された第1及び第2レーザ11及び12の電気接続手段5,6,7,8,9を設けるようにし、前記条溝20はその深さDの主部分dを前記基板1内に位置させるようにしてレーザの漏話を著しく少なくする。
其他摘要	本发明的一个目的是提供一种光电子半导体器件，其中在使用的相邻激光器之间不存在串扰，或者与已知器件相比至少足以降低串扰。第一半导体二极管激光器和第二半导体二极管激光器阵列和半导体本体设置有一种导电类型的第一包层，第一和第二激光器11并且，有序层3和第二包层4分别位于其中的第一和第二有源区12和32分别位于第一包层中，第二包层4与第一包层的导电类型相反。第一和第二包层设置有第一和第二激光器11和12，第一和第二激光器11和12通过从半导体本体表面13延伸到基板1中的凹槽20彼此分开。并且设置12个电连接装置5,6,7,8,9，使得其深度D的主要部分d位于基板1中，使得激光串扰明显减少到。
主权项	-
申请日期	1994-07-08
专利号	JP1995058418A
专利状态	失效
申请号	JP1994157298
公开（公告）号	JP1995058418A
IPC 分类号	H01S3/06 \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/40 \| H01S3/23 \| H01S5/024 \| H01S5/00 \| H01S3/18 \| H01S3/25
专利代理人	杉村暁秀 (外5名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65821
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	PHILIPS ELECTRON NV
推荐引用方式 GB/T 7714	アドリアーンファルステル,カロルスヨハネスファンデルプル,イェルンヤンランベルタスホリックス. オプトエレクトロニック半導体装置. JP1995058418A[P]. 1995-03-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995058418A.PDF（65KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文