激光二极管及其制造方法和生产线

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	激光二极管及其制造方法和生产线
其他题名	激光二极管及其制造方法和生产线
	谌红艳
	2008-08-20
专利权人	谌红艳
公开日期	2008-08-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种激光二极管及其制造方法和生产线。本发明要解决的技术问题是如何克服现有技术偏见，提供一种激光二极管及其制造方法和生产线。本发明激光二极管的制造方法的特征在于：在基座上加装保护罩后，测试、包装前将基座含定位凹槽的外缘部分冲切掉，从而达到缩小其径向尺寸的目的。本发明激光二极管生产线的特征在于：包括冲切单元，其冲刀外径略大于待加工激光二极管的保护罩的外径。本发明激光二极管的特征在于：含定位凹槽的外缘部分被冲切掉，保护罩与基座外径大致相当，呈柱状。本发明广泛适用于激光二极管的相关生产、应用领域。
其他摘要	本发明涉及一种激光二极管及其制造方法和生产线。本发明要解决的技术问题是如何克服现有技术偏见，提供一种激光二极管及其制造方法和生产线。本发明激光二极管的制造方法的特征在于：在基座上加装保护罩后，测试、包装前将基座含定位凹槽的外缘部分冲切掉，从而达到缩小其径向尺寸的目的。本发明激光二极管生产线的特征在于：包括冲切单元，其冲刀外径略大于待加工激光二极管的保护罩的外径。本发明激光二极管的特征在于：含定位凹槽的外缘部分被冲切掉，保护罩与基座外径大致相当，呈柱状。本发明广泛适用于激光二极管的相关生产、应用领域。
主权项	一种激光二极管的制造方法，包括下述步骤： ①、制作带定位凹槽的基座； ②、在基座上安装管芯、接脚； ③、在基座上加装保护罩； ④、测试、包装，其特征在于：在第③步之后，第④步之前将基座含定位凹槽的外缘部分冲切掉，从而达到缩小其径向尺寸的目的。
申请日期	2008-01-14
专利号	CN101247024A
专利状态	失效
申请号	CN200810025796.0
公开（公告）号	CN101247024A
IPC 分类号	H01S5/022 \| H01S5/00
专利代理人	温旭
代理机构	广州三环专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65751
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	谌红艳
推荐引用方式 GB/T 7714	谌红艳. 激光二极管及其制造方法和生产线. CN101247024A[P]. 2008-08-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101247024A.PDF（296KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文